品牌：TDK
　　系列：EPCOS
　　电容值：4.7pF
　　容差：±0.05pF
　　额定电压：100V
　　温度系数：C0G(NP0)
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装/尺寸：0603（1608公制）
　　介质材料：C0G (NP0)
　　直流偏压特性：无显著容量下降
　　老化率：≤0.1% / decade
　　等效串联电阻（ESR）：极低
　　绝缘电阻：≥100GΩ 或 ≥1000秒时间常数
　　耐焊接热：符合IEC 60068-2-20标准
　　浪涌电压：130V max
　　频率响应：宽频范围内容量稳定
　　Q值：≥1000 @ 1MHz（典型）
　　DF值（耗散因子）：≤0.1% @ 1MHz

B41858C7478M000 采用 C0G（即 NP0）介质材料，这是目前最稳定的陶瓷电介质之一，能够在整个工作温度范围内保持极其稳定的电容值，几乎不受温度变化的影响。其电容随温度的变化不超过 ±30ppm/°C，在 -55°C 至 +125°C 范围内表现出卓越的线性特性和极低的非线性失真，适用于高精度定时电路、振荡器、谐振回路以及射频匹配网络等关键应用场景。该电容器的容差控制极为严格，达到 ±0.05pF，使其成为需要极高精度的小容量电容替代方案的理想选择。
　　该器件具备出色的高频性能，得益于其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），可在高达数百兆赫兹甚至吉赫兹级别的频率下稳定工作，有效减少信号损耗和发热问题。同时，由于 C0G 材料本身不具有铁电性，因此不会出现电压依赖性容量下降的现象，即使在接近额定电压下运行也能维持标称容量不变，这一点远优于 X7R、X5R 等高介电常数材料制成的 MLCC。
　　结构方面，B41858C7478M000 采用多层叠片式设计，内部电极交替排列并烧结为一体，增强了机械强度和热循环耐受能力。端电极经过特殊处理，具备良好的可焊性和抗腐蚀性，支持回流焊和波峰焊等多种贴装工艺。产品通过 AEC-Q200 认证的部分批次可用于汽车电子环境，显示出其在振动、湿度和温度冲击下的长期可靠性。此外，该电容无压电效应，避免了因机械应力引起的微音效应（microphonics），特别适合音频前端和高灵敏度模拟电路使用。

该电容器广泛应用于对稳定性、精度和高频响应有严苛要求的电子系统中。常见用途包括射频（RF）电路中的阻抗匹配网络、LC 谐振电路、滤波器和调谐电路，尤其适合用于无线通信模块如 Wi-Fi、蓝牙、蜂窝基站和 RFID 系统中，以确保频率稳定性和信号完整性。在精密模拟电路中，例如运算放大器反馈路径、采样保持电路和 ADC/DAC 接口，其稳定的电容值有助于提升系统精度和动态范围。
　　此外，该器件也常用于时钟振荡器电路中，作为晶体负载电容，确保频率输出的高度准确和长期稳定性，适用于微控制器、FPGA 和 DSP 等数字系统的时序控制部分。在测试测量仪器、医疗电子设备和航空航天电子系统中，因其可靠的性能表现而被优先选用。工业自动化控制系统、传感器信号调理电路以及高温环境下工作的设备也能从中受益，尤其是在需要长期稳定运行且不可频繁校准的应用场合。
　　由于其小型化封装（0603）和表面贴装特性，非常适合高密度 PCB 布局，广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他便携式消费类电子产品中。同时，它也被集成于电源去耦网络中，特别是在低噪声 LDO 输出端，用作高频噪声滤波，提高电源纯净度。总体而言，B41858C7478M000 凭借其优异的电气特性和环境适应能力，成为高性能电子设计中的首选被动元件之一。

C1608C0G1H470J