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B41858C7108M000 发布时间 时间:2025/12/27 13:27:12 查看 阅读:10

B41858C7108M000是一款由TDK公司生产的高性能多层陶瓷电容器(MLCC),专为要求严苛的工业、汽车和通信应用设计。该器件属于爱普科斯(EPCOS)品牌旗下的高性能电容系列,结合了先进的陶瓷材料与精密叠层制造工艺,能够在高频、高温及高稳定性需求的电路中提供卓越的电气性能。B41858C7108M000的标称电容值为10pF,额定电压为50V DC,具备良好的温度稳定性和低等效串联电阻(ESR),适用于射频(RF)匹配网络、振荡器电路、滤波器以及高速数字信号路径中的去耦和旁路应用。该电容器采用标准的0603(1608公制)封装尺寸,具有较小的体积和较高的安装密度,适合空间受限的高密度印刷电路板(PCB)布局。其介质材料符合Class I(C0G/NP0特性)标准,确保电容值在宽温度范围内(-55°C至+125°C)几乎无漂移,且不受电压、频率和时间老化的影响,是高精度模拟和高频电路的理想选择。此外,该器件符合RoHS环保要求,并支持回流焊工艺,便于自动化贴装生产。

参数

型号:B41858C7108M000
  品牌:TDK / EPCOS
  电容值:10pF
  容差:±20%
  额定电压:50V DC
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  温度特性:C0G (NP0)
  封装尺寸:0603 (1.6 x 0.8 mm)
  介质类型:Class I Ceramic
  等效串联电阻(ESR):典型值低于100mΩ
  绝缘电阻:≥100GΩ 或 C·V ≥ 10000MΩ·μF
  使用寿命:在额定条件下可长期稳定运行

特性

B41858C7108M000所采用的C0G(即NP0)陶瓷介质是Class I型电容器的核心优势所在,这种材料具有极高的介电稳定性,其电容值随温度的变化率控制在±30ppm/°C以内,确保在极端环境温度下仍能维持精确的电容特性,避免因温漂导致的电路失谐或性能下降。这一特性使其广泛应用于对频率稳定性要求极高的场景,例如石英晶体振荡器、SAW滤波器匹配电路、射频功率放大器的偏置网络以及无线发射模块中的LC调谐回路。此外,C0G介质不表现出铁电效应,因此不存在电压系数引起的容量压缩现象,即使在接近额定电压下工作,其电容值依然保持恒定,这对于高线性度模拟前端和精密参考电路至关重要。
  该器件的多层结构设计不仅提升了单位体积内的电容密度,还显著降低了等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR),从而在高频段展现出优异的阻抗特性,有效增强其在GHz级射频信号路径中的去耦能力。配合0603小型化封装,B41858C7108M000可在紧凑型移动通信设备、车载信息娱乐系统和物联网节点中实现高效布局。其高绝缘电阻和极低的介质损耗(tanδ < 0.1%)进一步减少了漏电流和自发热问题,提高了系统的长期可靠性。此外,产品经过严格的AEC-Q200认证测试,具备出色的耐湿性、抗机械应力和热循环能力,特别适合部署于发动机舱传感器、雷达模块和ADAS系统等恶劣工况环境中。

应用

B41858C7108M000主要应用于对信号完整性与元件稳定性有极高要求的电子系统中。在射频与微波领域,它常用于天线匹配网络、低噪声放大器输入端耦合、压控振荡器(VCO)调谐电路以及滤波器组件中,凭借其稳定的电容值和低损耗特性,能够显著提升无线链路的传输效率与接收灵敏度。在通信基础设施方面,该器件适用于5G基站射频单元、光纤收发模块和高速数据接口的旁路设计,有助于抑制高频噪声并保障信号质量。在汽车电子中,B41858C7108M000被广泛用于车载导航、毫米波雷达、远程信息处理单元和车身控制模块,满足AEC-Q200标准的严苛要求,确保车辆在复杂电磁环境和宽温域下的稳定运行。此外,在工业自动化、医疗监测设备、精密测量仪器等高端应用场景中,该电容也因其长期可靠性和参数一致性而备受青睐,尤其适合用于时钟生成电路、ADC/DAC参考路径和高Q值谐振电路的设计。

替代型号

C1608X5R1H100K080AB
  GRM155R71H100KA88D
  CL2010NPO100J500PE

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B41858C7108M000参数

  • 制造商EPCOS
  • 产品种类铝质电解电容器 - 带引线
  • 电容1000 uF
  • 容差20 %
  • 电压额定值35 Volts
  • 工作温度范围- 55 C to + 105 C
  • 端接类型Radial
  • 尺寸12 mm Dia. x 25 mm L
  • 加载寿命5000 hr
  • 系列B41858