电容：22μF
　　额定电压：6.3V
　　容差：±20%
　　温度特性：X5R（-55°C 至 +85°C，电容变化不超过±15%）
　　封装尺寸：0805（2.0mm × 1.25mm）
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　直流偏压特性：在6.3V偏压下，实际电容值会下降，典型保持率约为50%-70%
　　绝缘电阻：≥100MΩ 或 ≥1000μF·V
　　最大纹波电流：依据应用条件而定，需参考数据手册
　　ESR（等效串联电阻）：低，典型值在几毫欧至几十毫欧之间，具体取决于频率和测试条件
　　老化率：≤2.5%每十年（X5R材料特性）
　　结构：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　端接类型：镍障层（抗硫化）
　　符合RoHS指令：是
　　无铅：是

B41252B9278M 具备优异的电学性能与机械稳定性，其核心介质材料采用X5R配方陶瓷，能够在宽温度范围内保持相对稳定的电容值，适用于需要一定温度稳定性的应用场景。该电容器采用先进的叠层工艺制造，实现高电容密度，在0805小型封装内集成22μF电容量，极大节省PCB布局空间。
　　其镍障层端子结构显著提升了抗硫化能力，防止因空气中硫化物引起的电极腐蚀，从而增强器件在工业环境或污染较重地区使用的长期可靠性。这一特性特别适用于户外设备、汽车电子、工业控制系统等对耐久性要求高的场合。
　　在电气性能方面，该电容具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有利于提高电源去耦效率，有效抑制高频噪声，提升系统稳定性。尽管X5R材料在直流偏压作用下会出现电容衰减现象，但通过优化内部电极设计，B41252B9278M 在额定电压下的电容保持率仍处于同类产品中较高水平。
　　此外，该器件符合RoHS环保标准且为无铅产品，支持现代绿色电子产品制造流程。其表面贴装形式便于自动化贴片生产，兼容回流焊工艺，适合大规模量产应用。由于其高可靠性和良好性价比，B41252B9278M 被广泛用于便携式设备、电源管理模块、DC-DC转换器输入/输出滤波等场景。

该电容器常用于各类电子系统的电源轨去耦，特别是在微处理器、FPGA、ASIC等数字芯片的供电引脚附近，用以滤除高频噪声并稳定电压。在DC-DC降压或升压转换电路中，B41252B9278M 可作为输入和输出滤波电容，帮助平滑电流波动，降低电压纹波，提升电源效率。
　　在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，该器件因其小尺寸和高电容值被广泛采用，满足紧凑型设计需求。同时，在工业控制板、传感器模块、网络通信设备中，其抗硫化特性和温度稳定性确保了长期运行的可靠性。
　　此外，该电容也适用于汽车电子中的非动力系统，例如车载信息娱乐系统、车身控制模块等，能够在较宽温度范围和振动环境下稳定工作。在医疗设备、物联网终端等对安全性要求较高的领域，B41252B9278M 凭借其一致性与认证资质（如AEC-Q200兼容性可能适用）也成为优选方案之一。

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　　 "GRM21BR71E226KA01L",
　　 "CL21A226MPQNNNE",
　　 "C2012X5R1E226K125AA",
　　 "EMK212B71E226KAH9",
　　 "LC0805X5R1E226MEVR"
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