型号：B4024
　　制造商：Diodes Incorporated
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：2.3A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：9.2A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：55mΩ @ VGS=10V, ID=2.3A
　　导通电阻（RDS(on)）：75mΩ @ VGS=4.5V, ID=2.3A
　　导通电阻（RDS(on)）：100mΩ @ VGS=2.5V, ID=1.4A
　　输入电容（Ciss）：340pF @ VDS=15V
　　输出电容（Coss）：110pF @ VDS=15V
　　反向传输电容（Crss）：40pF @ VDS=15V
　　开启延迟时间（td(on)）：8ns
　　关断延迟时间（td(off)）：25ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

B4024采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，能够在高电流密度下保持较低的功耗，从而显著提升系统的整体效率。其RDS(on)在VGS=10V时仅为55mΩ，在同类SOT-23封装器件中处于领先水平，这意味着在相同的工作条件下，发热更少，有助于简化散热设计并提高长期运行的可靠性。此外，该器件在低栅压（如4.5V或2.5V）下仍能维持相对较低的导通电阻，满足现代低电压、低功耗系统对驱动电压日益降低的需求，尤其适合由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的应用场景。
　　该MOSFET具有出色的开关特性，包括快速的开启和关断响应时间，典型开启延迟时间为8ns，关断延迟时间为25ns，使得它在高频开关应用中表现出色，例如在同步整流、开关电源和PWM控制电路中可有效减少开关损耗。输入电容和输出电容较小，分别为340pF和110pF，降低了驱动电路的负载，进一步提升了系统的动态响应能力。同时，B4024具备良好的热稳定性，其最大工作结温可达+150°C，并支持在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定运行，适用于各种严苛的环境条件。
　　在可靠性方面，B4024通过了严格的生产测试流程，确保批次一致性高，且具备较强的抗静电放电（ESD）能力和一定的抗雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压或短路情况下提供一定程度的自我保护，延长器件寿命并提高系统安全性。SOT-23封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且具有良好的焊接可靠性和自动化装配兼容性，适合大规模表面贴装生产工艺。综合来看，B4024凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，成为众多中小功率开关应用的理想选择。

B4024常用于各类需要高效开关控制的小功率电子系统中。典型应用场景包括便携式设备中的电源开关与负载切换，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品中的电池供电管理模块；也可作为DC-DC升压或降压转换器中的同步整流开关，提升转换效率并减少发热。在电机控制领域，B4024可用于微型直流电机或步进电机的驱动电路中，实现精确的启停和调速功能，广泛应用于玩具、小型家电和办公自动化设备。
　　此外，该器件也适用于LED驱动电路，作为恒流源或开关调节元件，控制照明亮度或实现脉冲调光（PWM dimming）。在工业控制和通信设备中，B4024可用于信号路由、继电器替代、热插拔保护电路以及I/O端口的电平切换，因其响应速度快且无机械磨损，相比传统机械开关更具优势。在电池管理系统（BMS）中，B4024可用于充放电通路的控制，配合保护IC实现过流、过压和短路保护功能。
　　由于其SOT-23封装的小型化特性，B4024特别适合高密度PCB布局的设计需求，常见于可穿戴设备、物联网终端节点、传感器模块和无线充电接收器等对空间极为敏感的产品中。同时，其良好的热性能和电气稳定性也使其能在汽车电子中的非动力域应用（如车载信息娱乐系统、灯光控制模块）中发挥作用。总之，B4024凭借其通用性强、驱动简单、效率高等优点，已成为现代电子设计中广泛应用的基础功率元件之一。

BSS138
　　2N7002
　　SI2302
　　AO3400
　　FDMT6670CZ