B3P4-VB(LF)(SN) 时间：2025/10/11 14:01:43 阅读：29

B3P4-VB(LF)(SN) 是一款由 Vishay Semiconductor 推出的表面贴装（SMD）肖特基势垒二极管，采用 SOD-323 小型封装，适用于高频、高效率的整流和开关应用。该器件专为在低电压、大电流条件下工作而设计，具备较低的正向压降（VF）和快速的反向恢复特性，能够有效提升电源转换效率并减少能量损耗。B3P4-VB(LF)(SN) 符合 RoHS 标准，不含铅（Pb），属于环保型元器件，适合用于对环境要求较高的消费电子、通信设备和便携式产品中。其小型化封装结构使其非常适合空间受限的应用场景，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类电池供电系统。该二极管具有良好的热稳定性和可靠性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。此外，Vishay 在制造过程中采用严格的工艺控制，确保产品的一致性和长期使用的稳定性。

参数

型号：B3P4-VB(LF)(SN)
　　封装/外壳：SOD-323
　　类型：肖特基势垒二极管
　　是否无铅：是
　　是否符合RoHS：是
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：300mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：1.25A
　　最大正向压降（VF）：550mV @ 300mA
　　最大反向漏电流（IR）：10μA @ 40V
　　反向恢复时间（trr）：典型值4ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +125°C
　　热阻抗（RθJA）：约470°C/W

特性

B3P4-VB(LF)(SN) 肖特基二极管的核心优势在于其优异的电学性能与紧凑的物理尺寸相结合，特别适用于现代电子设备对高效能与小型化的双重需求。该器件采用先进的硅肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降，通常在300mA电流下仅为550mV左右，显著低于传统PN结二极管，从而大幅降低功耗并提高系统整体效率。这一特性使其在DC-DC转换器、电源管理模块及电池充放电保护电路中表现出色。
　　其快速的反向恢复时间（trr 典型值为4ns）使得该二极管能够在高频开关环境中稳定工作，避免因反向恢复延迟引起的能量损耗和电磁干扰问题，因此广泛应用于开关电源、逆变器和高频整流电路中。同时，尽管其额定平均电流为300mA，但可承受高达1.25A的峰值浪涌电流，具备一定的过载能力，提升了系统的鲁棒性。
　　SOD-323封装不仅体积小巧（约1.7mm x 1.25mm x 1.1mm），而且便于自动化贴片生产，适用于高密度PCB布局。该封装还具有良好的散热性能，结合-55°C至+125°C的工作结温范围，使器件能在宽温域内可靠运行，适应严苛的工作环境。此外，器件通过AEC-Q101等可靠性认证的可能性较高，增强了其在工业级和汽车电子中的适用性。
　　“LF”标识表明该产品为无铅版本，符合国际环保标准（如IEC 61249-2-21），有利于实现绿色制造和出口合规。其低寄生电容和快速响应特性也使其可用于信号检波、极性保护和防反接电路中。综合来看，B3P4-VB(LF)(SN) 凭借其高性能、小尺寸、环保合规和高可靠性，成为众多低功率高频应用中的理想选择。

应用

B3P4-VB(LF)(SN) 主要应用于需要高效、快速响应和小型化设计的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源整流与极性保护，例如手机、蓝牙耳机、智能手表等设备的充电管理电路。由于其低正向压降特性，常被用于低压差电源路径中，以减少电压损失，延长电池续航时间。
　　在电源管理系统中，该二极管广泛用于DC-DC升压或降压转换器的续流二极管（freewheeling diode）或输出整流环节，提升转换效率。其快速反向恢复能力有效抑制了高频开关过程中的振荡和噪声，有助于改善EMI性能。
　　此外，该器件也适用于各类信号整流、电压钳位和静电放电（ESD）保护电路，在通信接口（如USB、I2C总线）中起到防止反向电流倒灌的作用。工业控制模块、传感器供电单元以及物联网（IoT）终端设备中也常见其身影，用于电源切换和负载隔离。
　　由于其符合RoHS标准且具备良好的温度稳定性，B3P4-VB(LF)(SN) 还可用于汽车电子中的非动力系统，如车载信息娱乐系统、LED照明驱动和车身控制模块等。总之，凡是需要小型化、高效率和快速响应的二极管应用场景，该型号均具备较强的适用性。