电容值：9.8pF
　　容差：±0.05pF
　　额定电压：50V
　　温度特性：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0603（1.6mm x 0.8mm）
　　介质材料：Ceramic (C0G/NP0)
　　直流偏压特性：无容量随电压变化
　　老化率：0% per decade
　　等效串联电阻（ESR）：< 10mΩ（典型值，1GHz下）
　　等效串联电感（ESL）：< 0.2nH（典型值）
　　Q值：≥ 1000 @ 1GHz
　　自谐振频率（SRF）：> 10GHz
　　焊接方式：回流焊（符合J-STD-020）

B39941B9858P810 具备卓越的高频性能，这得益于其采用C0G（也称NP0）类型的陶瓷介质材料。这种材料具有极佳的温度稳定性，在整个工作温度范围内（-55°C 至 +125°C）电容值的变化不超过±30ppm/°C，确保了在极端环境下的电气性能一致性。该电容器的超低等效串联电感（ESL）小于0.2nH，使其自谐振频率超过10GHz，因此在微波和毫米波频段依然能够有效发挥去耦和滤波作用，避免因寄生电感导致的性能下降。
　　另一个显著特点是其超高精度容差，仅为±0.05pF，远高于常规MLCC的±0.1pF或±0.25pF，适用于对电容值敏感的高频匹配网络，如功率放大器输出匹配、天线调谐模块和低相位噪声振荡器电路。此外，该器件的Q值在1GHz时不低于1000，表明其能量损耗极低，非常适合用于高选择性滤波器和谐振电路中，有助于提升系统的整体效率和信号纯度。
　　由于使用了先进的叠层结构和内部电极优化设计，B39941B9858P810 在直流偏置下不会出现容量衰减现象——这是X7R或Y5V类电容常见的问题，但在C0G材质中得以完全避免。同时，它的老化率为零，意味着长期使用过程中电容值不会因时间推移而发生漂移，保障了产品在整个生命周期内的稳定性。该器件还通过了严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压（THB）、温度循环（TC）和可焊性验证，符合AEC-Q200标准的部分要求，适合部署于高可靠性应用场景。

该电容器主要应用于高频和射频电子系统中，尤其适合需要极高稳定性和低损耗的场合。常见用途包括移动通信基础设施中的基站射频前端模块，用于功率放大器偏置去耦、输入输出匹配网络以及双工器和滤波器构建单元。在微波通信链路、相控阵雷达和卫星通信设备中，B39941B9858P810 可作为关键元件实现精确的阻抗匹配和高频旁路功能，提升系统增益与线性度。
　　此外，在测试与测量仪器如矢量网络分析仪（VNA）、高频信号发生器和频谱仪中，该电容因其稳定的电气特性被广泛用于校准电路和参考通道设计。在高端无线模块（如Wi-Fi 6E、5G毫米波模组）中，它可用于天线调谐网络以动态优化辐射效率。消费类高端音频设备中的时钟振荡电路也会选用此类电容来降低相位抖动，提高音质还原能力。
　　工业和汽车电子领域中，尽管0603封装较小，但由于其出色的温度特性和长期稳定性，也被用于车载雷达（77GHz）、ADAS传感器和精密传感接口电路中。此外，在医疗成像设备和射频治疗仪器中，该电容可帮助维持信号完整性，减少噪声干扰，确保诊断或治疗过程的准确性。

GRM1555C1H9R8CA01D
　　CC0603JRNPO9BN9R8
　　GCM1555C1H9R8CA01D
　　C1608X7R1H9R8D