时间：2025/5/23 13:04:57
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B39881B9867P810 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET。该型号采用 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高效率的特性，适用于多种开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用领域。
该器件的最大特点是能够在高压环境下提供稳定的性能，同时其封装形式为 TO-263 (D2PAK)，便于散热和安装。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：14A
导通电阻：1.1Ω
栅极电荷：33nC
总电容：150pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
B39881B9867P810 具有较高的击穿电压，能够适应各种高电压应用场景。它采用了先进的 Trench MOS 技术，有效降低了导通电阻，从而减少了功率损耗并提升了整体效率。
此外，该型号具备快速开关速度，可减少开关损耗，并且在高温条件下仍能保持稳定的电气性能。其 TO-263 封装设计不仅简化了 PCB 布局，还提供了优异的热传导能力，确保长期运行中的881B9867P810 成为许多工业级和汽车级应用的理想选择。
这款 MOSFET 广泛应用于开关模式电源 (SMPS)、DC-DC 转换器、逆变器、电机控制电路以及负载开关等领域。
在汽车电子系统中，它可以用于电池管理、电动助力转向系统及车身控制系统中的功率调节任务。
此外，在工业自动化设备中，如伺服驱动器和 PLC 输出模块，B39881B9867P810 同样表现出色。
BSC014N06NS3
BST04S06LT1G
IRFZ44N
