电容值：5.6 pF
　　容差：±0.05 pF
　　额定电压：100 V
　　温度系数：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0402（1005 公制）
　　介质材料：陶瓷（C0G/NP0）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　直流偏压特性：无显著容量下降
　　老化率：0% / decade
　　最大交流电压：未指定（典型用于低信号电平）
　　绝缘电阻：≥ 100 GΩ·μF 或 ≥ 10^11 Ω（取较小值）
　　耐湿性：符合 IEC 60068-2-30 标准
　　抗热冲击能力：符合 IEC 60068-2-14
　　可焊性：符合 IEC 60068-2-20
　　端接电极：镍/锡外电极（Ni/Sn），兼容无铅焊接
　　包装形式：卷带包装，标准 7 英寸卷盘
　　每卷数量：通常为 10,000 片

B39771B8532P810 采用 C0G（也称 NP0）介质材料，这是一种具有极高温度稳定性的陶瓷配方，其电容值在整个工作温度范围内（-55°C 至 +125°C）的变化不超过 ±30 ppm/°C，几乎可以视为零温度系数。这种极高的稳定性使得该电容器非常适合用于对频率稳定性要求极高的振荡电路、谐振匹配网络和精密滤波器中。由于 C0G 材料本质上是非铁电性的，因此不会出现像 X7R 或 Y5V 类介质那样的介电常数随电压或时间显著变化的现象，从而确保了长期使用的可靠性和一致性。
　　该器件具有非常低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），这使其在高频应用中表现出色，能够有效减少能量损耗并提高电路效率。特别是在射频（RF）前端模块、无线通信设备和高速数字系统的电源去耦中，B39771B8532P810 能够提供干净的旁路路径，抑制噪声干扰，提升系统信噪比。其小尺寸 0402 封装不仅节省 PCB 空间，还降低了寄生参数的影响，进一步增强了高频性能。
　　此外，该电容器经过严格的质量控制流程制造，具备出色的抗机械应力和热循环能力。它通过了多项国际标准测试，包括耐湿性、热冲击和可焊性测试，确保在恶劣环境下的长期运行可靠性。TDK 的先进叠层工艺保证了每一层介质和电极之间的均匀性，避免微裂纹和局部放电现象的发生，提升了产品的寿命和安全性。同时，该器件不含卤素，符合现代绿色电子产品的环保要求，适合用于高端工业和汽车级应用场景。

B39771B8532P810 主要应用于需要高精度和高稳定性的电子电路中。在射频（RF）和微波通信系统中，该电容器常被用于 LC 谐振电路、阻抗匹配网络、带通滤波器和天线调谐单元，因其 C0G 特性可确保频率响应不随温度漂移，保障通信链路的稳定性。在高速数字系统中，如 FPGA、ASIC 和微处理器的电源轨去耦设计中，该器件可用于高频噪声滤除，提升电源完整性（PI）和信号完整性（SI）。
　　在工业自动化与测量仪器领域，该电容器广泛用于精密传感器信号调理电路、ADC/DAC 参考电压滤波以及时钟振荡器的负载电容配置，确保模拟信号链的准确性和重复性。在汽车电子中，尽管该型号并非 AEC-Q200 认证产品，但在非动力总成类车载设备（如信息娱乐系统、ADAS 传感器接口）中仍有使用，前提是满足其工作条件限制。
　　此外，在医疗电子设备、测试与测量仪器（如示波器、频谱仪）、光通信模块以及航空航天电子系统中，B39771B8532P810 凭借其高可靠性、低失真和长期稳定性，成为关键无源元件之一。其无老化特性也使其适用于长期运行且难以维护的嵌入式系统。

C1005C0G1H5R6D
　　GRM1555C1H5R6DD01D
　　CC0402JRNPO9BN5R6
　　CL10A560JP8NNNC