类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-1.9A（@ VGS = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-4.5A
　　导通电阻（RDS(on)）：65mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：85mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.5V
　　输入电容（Ciss）：320pF（@ VDS = 10V）
　　开启时间（Turn-on Delay Time）：7ns
　　关断时间（Turn-off Delay Time）：28ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

B3955 P沟道MOSFET采用了先进的沟槽栅极工艺技术，使其在低电压驱动条件下仍能保持出色的导通性能和开关速度。该器件的关键特性之一是其低阈值电压范围（-0.8V至-1.5V），这使得它能够与3.3V甚至更低的逻辑电平完全兼容，从而可以直接由微控制器或其他数字逻辑输出引脚进行驱动，而无需额外的栅极驱动电路。这种设计显著简化了电源管理系统的设计复杂度并降低了整体成本。此外，其在-4.5V栅极电压下的典型导通电阻仅为65mΩ，而在更常用的-2.5V逻辑电平下也能维持在85mΩ以内，这一水平在同级别P沟道MOSFET中属于较优水平，有助于减少功率损耗和发热问题，提高系统整体能效。
　　另一个重要特性是其快速的开关响应能力。B3955的开启延迟时间仅为7ns，关断延迟时间为28ns，结合较低的输入电容（320pF），使其非常适合高频开关应用，如同步整流、DC-DC降压变换器中的上管控制以及负载切换电路。快速的开关速度不仅提升了系统的动态响应能力，还能有效降低开关过程中的交越损耗，进一步提升转换效率。同时，器件具备良好的热稳定性，最大工作结温可达+150°C，支持在高温环境下长期可靠运行。其SOT-23封装虽然体积小巧，但经过优化的引线设计和材料选择保证了足够的散热能力和机械强度，适用于自动化贴片生产工艺。
　　安全性方面，B3955内置的体二极管可以防止反向电流流动，在某些电源冗余或热插拔设计中起到关键保护作用。此外，该器件还具备较强的抗静电能力（ESD protection）和过压耐受能力，符合工业级可靠性要求。所有这些特性共同使B3955成为中小功率电源管理领域中一个高性能、高性价比的选择。

B3955广泛应用于各类需要高效、紧凑型电源控制的电子系统中。其典型用途包括便携式消费类电子产品中的电源开关控制，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和蓝牙耳机等，用于实现不同功能模块的上电/断电管理，以达到节能目的。在电池供电系统中，B3955常被用作高端开关来控制电池对负载的供电通断，利用其P沟道特性避免使用复杂的电荷泵电路，从而简化设计并降低成本。此外，在DC-DC转换器拓扑结构中，尤其是在非同步降压（Buck）电路中，B3955可用于替代传统的肖特基二极管作为续流元件，实现同步整流功能，大幅降低导通压降和能量损耗，提升电源效率。
　　在工业控制和通信设备中，B3955也常见于电源排序电路、热插拔控制器以及多电源路径管理单元中，负责在不同电源之间进行无缝切换或隔离故障电源。由于其具备良好的瞬态响应能力和较小的封装尺寸，特别适合空间受限的应用场景。此外，该器件还可用于LED驱动电路中的电流控制开关，或者作为USB端口的限流和过载保护开关，防止外部短路对主电源造成影响。在嵌入式系统和物联网节点中，B3955被用来控制传感器、无线模块等外设的供电状态，实现按需唤醒和休眠机制，延长整体续航时间。总之，凭借其高集成度、低功耗和高可靠性，B3955已成为现代低电压、小电流电源管理方案中的关键组件之一。

SI2301DDS