电容值：22nF
　　容差：±10%
　　额定电压：2000V
　　温度系数：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：1812（4532 公制）
　　介质材料：陶瓷
　　损耗因子（tanδ）：≤ 2.5%
　　绝缘电阻：≥ 10000 MΩ

B39222B8206P810 具备多种优良电气和物理特性，使其适用于多种高要求的应用场景。首先，该电容器的额定电压高达2000V，具备良好的耐压能力，适用于高电压电路中的滤波和耦合应用。其次，其温度系数为X7R，意味着在-55°C至+125°C的工作温度范围内，电容值的变化保持在±15%以内，确保了电性能的稳定性。
　　此外，该器件采用陶瓷介质材料，具有优异的高频特性，能够有效降低信号传输中的损耗。其低损耗因子（tanδ ≤ 2.5%）也使得该电容器在高频电路中具有良好的效率表现。封装尺寸为1812（4532公制），符合行业标准，便于在PCB上布局和自动化贴装。同时，该电容器具有较高的绝缘电阻（≥10000 MΩ），有效防止漏电流问题，提高了电路的安全性和可靠性。
　　B39222B8206P810 还具备出色的抗湿热性能和机械强度，适用于严苛环境下的电子设备，如工业控制、汽车电子和通信基础设施。

B39222B8206P810 多层陶瓷电容器主要应用于需要高电压稳定性和良好温度特性的电路中。例如，在工业电源和电机控制电路中，该电容器可用于滤波和去耦，以减少高频噪声和电压波动的影响。在汽车电子系统中，如发动机控制单元（ECU）和车载充电系统，该电容器可确保在宽温度范围内稳定运行。
　　此外，B39222B8206P810 还广泛用于通信设备中的射频（RF）电路和电源管理系统，其低损耗和高频率响应特性使其成为射频滤波和旁路电容的理想选择。在消费类电子产品中，如高功率LED照明和智能家电，该电容器也可用于提高电源效率和稳定性。
　　由于其高可靠性和良好的耐压性能，该电容器还适用于医疗电子设备和安全关键系统，确保设备长期稳定运行。

TDK C4532X7R2E223K、Murata GRM45-2E223KA-K、KEMET C2220X7R2E223K