电容值：6.2 pF
　　容差：±0.1 pF
　　额定电压：100 V
　　温度特性：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0805（2.0 mm x 1.25 mm）
　　介质材料：C0G（NP0）
　　直流偏压特性：无容量变化
　　等效串联电阻（ESR）：典型值 < 0.1 Ω
　　品质因数（Q值）：≥ 1000 @ 1 MHz
　　绝缘电阻：≥ 100 GΩ
　　老化率：0 %/decade
　　自谐振频率（SRF）：典型值 > 3 GHz

B39182B8625P810 电容器的核心优势在于其采用 C0G（NP0）介质材料，这种材料具有极佳的温度稳定性和时间稳定性，能够在整个工作温度范围内保持电容值几乎不变，温度系数为 0 ±30 ppm/°C，确保了在极端环境下的可靠性能。这一特性使其非常适合用于精密振荡电路、滤波器和匹配网络中，尤其是在需要长期稳定运行且不允许参数漂移的应用场景中。C0G 材料还具备极低的介电损耗，使得该电容器在高频下仍能维持高 Q 值，显著减少信号衰减和能量损失。
　　该器件的高自谐振频率（SRF）超过 3 GHz，意味着它在 GHz 级别的射频应用中依然能够有效发挥电容作用，避免因接近或超过 SRF 而转变为感性元件的问题。这对于现代无线通信系统如 Wi-Fi、蓝牙、5G 射频前端模块至关重要。同时，其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）进一步提升了高频响应能力，增强了去耦效果，有助于抑制电源噪声和电磁干扰（EMI）。
　　机械结构方面，B39182B8625P810 采用多层陶瓷叠层工艺，内部电极为贵金属材料（如银钯合金），提高了抗迁移能力和耐热冲击性能。其 0805 封装形式兼顾了小型化与焊接可靠性，适用于回流焊和波峰焊等多种贴装工艺。器件经过严格的老化测试和高温高湿偏压（THB）测试，确保在恶劣环境下的长期可靠性。此外，该电容器无直流偏压依赖性，即使在接近额定电压下工作，电容值也不会下降，这在高压偏置的射频放大器偏置电路中尤为重要。

B39182B8625P810 广泛应用于高频和射频电子系统中，特别适用于对稳定性、精度和高频性能要求极高的场合。常见应用包括射频匹配网络，在无线发射和接收模块中用于阻抗匹配，以最大化功率传输并减少反射损耗。其稳定的 C0G 特性和高 Q 值使其成为 VCO（压控振荡器）、LC 振荡器和 PLL（锁相环）电路中的关键元件，确保频率稳定性不受温度波动影响。
　　在通信基础设施领域，该电容器被用于基站射频单元、微波收发器和光纤通信设备中的滤波和去耦电路。其高 SRF 和低 ESR 特性可有效滤除高频噪声，提升信号完整性。在测试与测量仪器如频谱分析仪、网络分析仪中，B39182B8625P810 作为精密无源元件参与构建高精度模拟前端，保障测量结果的准确性。
　　此外，该器件也适用于医疗电子设备、航空航天电子系统和工业控制系统中的高频模拟电路。在汽车电子中，可用于高级驾驶辅助系统（ADAS）的雷达模块和车载通信单元，满足 AEC-Q200 可靠性标准的相关要求（需确认具体批次是否通过认证）。由于其无磁性、低损耗和高绝缘电阻，也可用于高灵敏度传感器信号调理电路和低噪声放大器（LNA）的旁路应用。

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　　 "C3216JB1H6R2N115K",
　　 "GRM21BR71H6R2NA01D",
　　 "CL21A620JBANNNC",
　　 "DC-CL21A620JBANNNC"
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