型号：B3916S
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：13A（在TC=25°C时）
　　脉冲漏极电流（IDM）：52A
　　最大功耗（Ptot）：50W（TC=25°C）
　　导通电阻RDS(on)：8.5mΩ（@ VGS=10V, ID=7A）
　　导通电阻RDS(on)：11mΩ（@ VGS=4.5V, ID=7A）
　　阈值电压（VGS(th)）：1.2V ~ 2.3V
　　输入电容（Ciss）：1070pF（@ VDS=15V）
　　输出电容（Coss）：360pF（@ VDS=15V）
　　反向传输电容（Crss）：75pF（@ VDS=15V）
　　栅极电荷（Qg）：24nC（@ VGS=10V）
　　上升时间（tr）：28ns
　　下降时间（tf）：20ns
　　体二极管反向恢复时间（trr）：35ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PG-SOT223-4

B3916S的核心优势在于其极低的导通电阻与出色的开关性能相结合，这使得它在高频率开关电源设计中表现出色。其RDS(on)在VGS=10V时仅为8.5mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，显著降低了导通损耗，从而提升了整体系统的能效。这一特性尤其适用于电池供电设备或对热管理要求严格的场合。通过采用先进的沟槽栅结构和场截止技术，B3916S实现了载流子分布的优化，减少了电场集中现象，提高了器件的耐压能力与长期可靠性。
　　该器件还具备优异的热性能，得益于SOT223-4封装内置的金属散热片，热量可有效从漏极引脚传导至PCB上的大面积铜箔，实现高效的热耗散。这种设计使得即使在较高环境温度下运行，也能维持较低的结温升，延长器件寿命并提高系统稳定性。同时，其较小的封装体积有利于实现高密度电路布局，满足现代电子产品小型化趋势的需求。
　　B3916S的开关特性经过优化，输入电容和反向传输电容均控制在合理范围内，有助于减少驱动电路的负担，并抑制米勒效应引起的误触发风险。其栅极电荷仅为24nC，意味着驱动所需的能量较少，适合搭配低功耗驱动IC使用。此外，较短的上升和下降时间（分别为28ns和20ns）确保了快速的开关响应，进一步降低开关损耗，特别适合用于同步整流、半桥/全桥拓扑等高频应用场景。
　　该器件还具备良好的体二极管特性，反向恢复时间trr为35ns，远低于传统MOSFET，减少了反向恢复过程中产生的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提升了系统EMI性能。其抗雪崩能力强，能够在瞬态过压事件中吸收一定能量而不损坏，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。综上所述，B3916S是一款集低损耗、高效率、高可靠性和良好热管理于一体的先进功率MOSFET，适用于多种复杂电力电子系统的设计需求。

B3916S广泛应用于各类需要高效功率切换的电子系统中。典型应用包括直流-直流（DC-DC）降压和升压转换器，尤其是在多相VRM（电压调节模块）和POL（点负载）电源中，其低RDS(on)和快速开关特性有助于提升转换效率并减小散热需求。在笔记本电脑、平板电脑和服务器主板的电源管理单元中，B3916S常被用作同步整流开关，替代传统的肖特基二极管以降低导通压降和功耗。
　　此外，该器件适用于电机驱动电路，如无刷直流电机（BLDC）控制器和步进电机驱动器中的H桥拓扑结构，其高电流承载能力和快速响应能力可确保电机平稳启动和精确调速。在LED照明驱动电源中，B3916S可用于恒流源的开关控制，支持高亮度LED阵列的稳定供电。
　　工业自动化设备中的开关电源、继电器替代电路和负载开关也是其重要应用领域。由于其具备良好的ESD防护和抗干扰能力，B3916S在工业环境下表现出较高的稳定性。同时，消费类电子产品如智能手机充电器、USB PD快充适配器、无线充电发射端等，也越来越多地采用此类高性能MOSFET来实现小型化与高能效的平衡。总之，B3916S凭借其综合性能优势，已成为现代高效电源系统中不可或缺的关键元器件之一。

BSC016N03LS
　　IRLR2907PbF
　　FDS6680A