B3786 时间：2025/12/27 13:14:50 阅读：15

B3786是一款由Rohm Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等高效率、低功耗场景。该器件采用小型表面贴装封装（通常为SOP-8或HSOP-8），具备优良的热性能和电气特性，适合在空间受限但对性能要求较高的电子设备中使用。B3786的设计注重低导通电阻与高速开关能力的平衡，能够有效降低系统功耗并提升整体能效。其栅极阈值电压适中，兼容常见的逻辑电平驱动信号，便于与微控制器或其他数字控制电路直接接口。
　　作为一款优化用于高频开关应用的MOSFET，B3786在设计上充分考虑了寄生参数的影响，具有较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），从而减少了开关损耗，提高了转换效率。此外，该器件还具备良好的抗雪崩能力和可靠性，在瞬态过压和电流冲击条件下仍能保持稳定工作。Rohm为其提供了完整的应用支持文档，包括详细的规格书、参考设计和热仿真模型，帮助工程师快速完成产品开发与调试。

参数

型号：B3786
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压Vds：30V
　　连续漏极电流Id（@25°C）：14A
　　脉冲漏极电流Idm：56A
　　导通电阻Rds(on)（@Vgs=10V）：5.3mΩ
　　导通电阻Rds(on)（@Vgs=4.5V）：6.8mθ
　　栅极阈值电压Vgs(th)：1.0V ~ 2.5V
　　栅极电荷Qg（@Vds=15V）：13nC
　　输入电容Ciss：920pF
　　输出电容Coss：240pF
　　反向恢复时间trr：15ns
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：HSOP-8

特性

B3786的核心优势之一是其超低的导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V时仅为5.3mΩ，这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，尤其适用于大电流应用场景。这种低Rds(on)特性使得即使在持续高负载下也能维持较低的工作温度，从而提高系统的可靠性和寿命。同时，该器件在Vgs=4.5V时仍能保持6.8mΩ的低导通电阻，说明其在低压驱动条件下依然具备优异的性能表现，适用于电池供电或低电压控制系统。
　　另一个关键特性是其优化的开关行为。B3786具有较低的栅极电荷（Qg=13nC）和输入电容（Ciss=920pF），这意味着在进行高频开关操作时所需的驱动能量更少，不仅减轻了驱动电路的负担，也大幅减少了开关过程中的动态损耗。这对于提高DC-DC变换器或同步整流电路的转换效率至关重要。此外，较小的输出电容Coss（240pF）有助于减少关断期间存储的能量，进一步降低开关损耗并抑制电压振荡。
　　热性能方面，B3786采用HSOP-8封装，该封装结构增强了散热能力，允许器件通过PCB上的散热焊盘高效地将热量传导出去。结合其低热阻特性，可在紧凑布局中实现良好的热管理。该器件的工作结温可达+150°C，并具备过温保护能力，确保在恶劣环境下的稳定性。同时，它具有较强的抗雪崩能力，能够在意外电压尖峰或感性负载断开时提供一定程度的自我保护，提升了整个系统的鲁棒性。
　　在可靠性方面，B3786符合AEC-Q101汽车级认证标准，表明其在温度循环、湿度、机械应力等方面的耐受能力达到车规级别，因此不仅可用于工业和消费类电子产品，也可应用于车载电源系统。此外，该器件无铅且符合RoHS环保要求，适应现代绿色制造趋势。综合来看，B3786是一款集高性能、高可靠性与小型化于一体的先进功率MOSFET，特别适合对效率、尺寸和稳定性有严苛要求的应用场合。

应用

B3786常被用于各类中高功率密度的电源系统中，典型应用包括但不限于：同步降压型DC-DC转换器、ORing控制器、电机驱动模块、LED驱动电源、笔记本电脑及移动设备的电源管理单元、电池保护电路以及各类负载开关设计。由于其低导通电阻和优良的开关特性，特别适用于需要高效能转换和快速响应的场合。在便携式电子设备中，B3786可以帮助延长电池续航时间；在工业控制领域，可用于驱动继电器、传感器电源开关或小型直流电机；在汽车电子中，可用于车身控制模块、车载充电器或辅助电源系统等。其宽泛的工作温度范围和高可靠性也使其适用于环境条件较为严酷的应用场景。