电容值：10 μF
　　电容公差：±10%
　　额定电压：100 V DC
　　工作温度范围：-40 °C 至 +150 °C
　　介质类型：CeraLink（反铁电陶瓷）
　　封装类型：SMD
　　尺寸：约 3.2 mm x 2.5 mm x 1.7 mm（具体以数据手册为准）
　　ESR（等效串联电阻）：典型值低于 10 mΩ（在高频下）
　　ESL（等效串联电感）：极低，适合高频应用
　　温度特性：在宽温范围内保持电容稳定性
　　安装方式：表面贴装技术（SMT）
　　耐焊接热：符合IEC 60068-1标准

B32523Q1106K采用TDK独有的CeraLink技术，基于反铁电陶瓷材料，这种材料在施加电压时能够产生显著的电致伸缩效应，从而实现高体积效率下的大容量存储能力。与传统的X7R或Y5V类MLCC不同，CeraLink电容器在高频开关环境下表现出更低的阻抗和更高的效率。其核心优势在于能够在100 kHz至1 MHz甚至更高的频率范围内有效工作，而传统电解电容器在此频率下通常已无法正常发挥作用。这使得B32523Q1106K特别适合用于现代高频谐振变换器（如LLC拓扑）中作为直流链路电容或缓冲电容。该器件在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，在+150°C时仍可维持较高的可用电容率，远优于常规陶瓷电容在高温下的容量衰减表现。
　　此外，B32523Q1106K具备卓越的纹波电流承受能力，能够在持续高负载条件下稳定运行而不发生过热或老化加速现象。其低ESR和低ESL特性共同作用，大幅减少了高频下的内部功率损耗和发热，提高了整体系统效率。机械结构上，该电容器经过优化设计，减少了因PCB弯曲或热循环引起的开裂风险，提升了产品在恶劣工业环境中的耐用性。得益于其小型化设计，B32523Q1106K可在空间受限的应用中替代多个并联的传统电容，简化电路设计并提高可靠性。综合来看，这款电容器代表了高频功率去耦和储能应用的技术前沿，尤其适用于追求高效率、高功率密度和长寿命的先进电力电子系统。

B32523Q1106K广泛应用于各类高性能电力电子设备中，特别是在对效率和功率密度要求极高的场景下表现突出。常见用途包括工业级开关电源（SMPS）中的直流链路滤波，用于平滑整流后的高压直流电压，抑制电压波动和噪声干扰。在太阳能光伏逆变器中，该电容器可用于支撑母线电压，吸收由IGBT或SiC MOSFET快速开关所产生的瞬态能量，防止电压尖峰损坏半导体器件。在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩中，B32523Q1106K凭借其高频响应能力和高温稳定性，常被用作谐振腔内的储能元件，配合LLC或CLLC拓扑实现软开关操作，从而提升整体能效。此外，该器件也适用于伺服驱动器、UPS不间断电源以及感应加热系统等工业自动化与能源转换装置。在通信基站的电源模块中，它同样可以作为高频去耦电容，提供瞬时电流支持并降低电源阻抗。由于其出色的抗振动和耐热性能，该电容器也能适应汽车电子和轨道交通等严苛环境下的长期运行需求。随着宽禁带半导体器件（如碳化硅和氮化镓）的普及，传统电解电容难以满足其超高频工作需求，B32523Q1106K因此成为理想的无源配套元件，推动了新一代高效电源系统的快速发展。

C32523Q1106K