时间：2025/12/27 13:09:33
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B32522C6683K是TDK公司生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC），属于EPCOS品牌系列。该器件是一款高性能的表面贴装电容，广泛应用于各类电子电路中，用于滤波、去耦、旁路和储能等用途。该型号电容器采用X7R介电材料，具备良好的温度稳定性和可靠性，适用于工业级工作温度范围。其标称电容值为68nF（68000pF），额定电压为100V DC，适合在中等电压条件下工作的电源管理、信号调理及通信系统中使用。B32522C6683K采用标准的贴片封装尺寸，具体为1210（3225公制），便于自动化贴片生产，具有较高的体积效率和机械稳定性。该产品符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，满足现代电子产品对环保与可靠性的双重要求。此外，该电容具有低等效串联电阻（ESR）和优良的高频响应特性，能够有效抑制噪声并提高系统的电磁兼容性（EMC）。由于其稳定的电气性能和较强的环境适应能力，B32522C6683K常被用于汽车电子、工业控制、医疗设备、消费类电子产品以及通信基础设施等领域。
电容值：68nF
容差：±10%
额定电压：100V DC
介电材料：X7R
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
温度特性：ΔC/C: ±15% (-55°C 至 +125°C)
封装尺寸：1210 (3.2mm x 2.5mm)
安装类型：表面贴装（SMD）
电介质类型：Class II
最大厚度：2.5mm
端接类型：镍/锡（Ni/Sn）
产品等级：工业级
RoHS合规性：符合
B32522C6683K采用X7R型高介电常数陶瓷材料，能够在宽温度范围内保持稳定的电容性能，其电容变化率在-55°C至+125°C之间不超过±15%，这使其非常适合需要温度补偿或在恶劣热环境下运行的应用场景。该电容器为多层结构设计，通过交替堆叠内电极与陶瓷介质层实现高电容密度，在有限的封装空间内提供较大的电容量，从而节省PCB布局面积，提升系统集成度。其内电极为贵金属材料（如银钯合金），具有优异的导电性和耐高温焊接性能，可承受回流焊过程中的多次热冲击而不损坏。该器件具有较低的等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），因此在高频下仍能维持较高的阻抗性能，适用于高速数字电路中的去耦应用，能有效滤除电源线上的高频噪声，保障敏感IC的稳定供电。
B32522C6683K具备良好的耐湿性和长期可靠性，经过严格的湿度寿命测试和高温存储测试，确保在复杂环境下的使用寿命。其端电极为三层端子结构（Cu/Ni/Sn），增强了与PCB焊点之间的结合强度，提高了抗机械应力和热循环的能力，防止因振动或热胀冷缩导致的开裂或脱焊现象。此外，该电容无磁性，不会对周围磁场造成干扰，适用于精密测量仪器和高灵敏度模拟电路中。由于采用标准化制造工艺，产品批次一致性好，适合大规模自动化生产使用。整体而言，B32522C6683K是一款兼具高性能、高可靠性和良好加工性的工业级MLCC，适用于多种严苛应用场景。
B32522C6683K广泛应用于多个电子领域，尤其适用于对电容稳定性与可靠性要求较高的场合。在电源管理系统中，它常用于DC-DC转换器、AC-DC整流模块和开关电源的输入输出滤波电路，起到平滑电压波动、抑制纹波电流的作用。在工业控制系统中，该电容可用于PLC模块、传感器接口电路和电机驱动器中的信号耦合与去耦，确保控制信号的准确传输。在汽车电子方面，该器件可用于车身控制模块（BCM）、车载信息娱乐系统和ADAS辅助驾驶系统的电源去耦网络，满足AEC-Q200对被动元件的可靠性要求。在通信设备中，B32522C6683K可用于基站射频模块、光模块和网络交换机的旁路电路，提升系统的抗干扰能力和信号完整性。此外，该电容也常见于医疗电子设备、测试测量仪器和消费类电子产品中，例如智能手机、平板电脑和智能家居控制器，用于音频信号处理、时钟电路旁路以及微处理器的本地去耦。得益于其100V的工作电压和68nF的中等容量，该器件在需要兼顾耐压与容量的混合信号电路中表现出色。
C3225X7R1H683K
