类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　电容值：2.2nF
　　容差：±10%
　　额定电压：100V
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，ΔC/C ≤ ±15%）
　　封装尺寸：3.2mm x 2.2mm（EIA 1210）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质材料：X7R陶瓷
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍阻挡层电极，可焊性强
　　老化率：典型值为2.5%每十年（25°C）
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 R*C ≥ 100S（取较大者）
　　等效串联电阻（ESR）：低，适用于高频去耦
　　自谐振频率（SRF）：根据电路布局而定，通常在百MHz量级

B32021A3222K所采用的X7R介质材料是一种铁电体陶瓷配方，主要成分为钡钛酸盐掺杂改性材料，能够在较宽的温度区间内维持相对稳定的电容性能。具体来说，在-55°C到+125°C的工作温度范围内，其电容值的变化幅度不会超过初始值的±15%，这一特性使其非常适合用于对温度敏感度有一定容忍度但又需要较高体积效率的应用场合。相比C0G/NP0类电容器虽然精度稍低，但在相同封装下能提供更高的电容密度，从而实现更紧凑的设计。该器件的额定电压为100V，意味着它可以安全地承受直流偏压高达100V而不发生击穿或显著参数漂移，这使得它适用于多种中高压电源电路中作为滤波或退耦使用。
　　该电容器采用多层结构设计，内部由数十甚至上百层交替堆叠的陶瓷介质与金属内电极构成，极大提升了单位体积下的电容容量。其表面贴装封装形式（SMD）便于自动化装配，兼容回流焊工艺，并具备良好的机械强度和抗热冲击能力。端电极为镍阻挡层结构，外覆锡层，确保焊接可靠性并防止银迁移问题。由于其低等效串联电阻（ESR）和较低的等效串联电感（ESL），B32021A3222K在高频噪声抑制方面表现优异，常被用作开关电源输出端的去耦电容，有效降低电压纹波。此外，该器件具有较小的老化率（约2.5%每十年），长期运行稳定性好，适合工业级和汽车电子等对寿命要求较高的系统。
　　值得一提的是，X7R材料本身具有一定的电压依赖性——即随着施加直流偏压的增加，实际可用电容值会有所下降。因此在设计时应参考制造商提供的直流偏压特性曲线，合理评估其在目标工作电压下的有效电容。总体而言，B32021A3222K凭借其良好的综合性能、成熟的供应链支持以及广泛的应用验证，已成为许多工程师在中等精度、中高压、宽温环境下的首选MLCC之一。

B32021A3222K因其100V额定电压、X7R温度特性和适中的电容值（2.2nF），被广泛应用于多个电子领域。在电源管理系统中，它常用于DC-DC转换器的输入和输出端进行噪声滤波与电压稳定，尤其在中功率电源模块中发挥重要作用。其低等效串联电阻（ESR）有助于减少高频开关噪声，提高整体电源效率。在工业控制设备中，如PLC、变频器和传感器接口电路，该电容器可用于信号耦合与去耦，保障模拟前端的稳定性。
　　通信设备也是其重要应用领域之一，例如在射频放大器偏置电路、中频滤波网络或以太网PHY芯片周边，B32021A3222K可用于旁路高频干扰，提升信号完整性。此外，在消费类电子产品如电视机、机顶盒、音响系统中，它常见于音频处理电路中作为耦合电容，或在电源板上执行局部去耦功能。汽车电子系统中，尽管非车规级版本不适用于严苛环境，但工业级B32021A3222K仍可用于车载信息娱乐系统或辅助电源单元中。
　　在医疗仪器、测试测量设备等对长期稳定性有一定要求的场合，该电容器也可用于中间级滤波或定时电路。由于其具备一定的耐压能力和温度适应性，还能在部分照明驱动电路（如LED恒流源）中承担缓冲与滤波任务。总之，只要应用场景对电容精度要求不是极高（无需达到C0G级别），且工作电压不超过100V，B32022K都是一种可靠、经济且易于获取的解决方案。

C3222X7R1H222K