B25NM50 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种电源管理及功率转换场合。该器件采用先进的SuperMESH?技术,具备低导通电阻和高开关性能,适用于高效率电源系统,如DC-DC转换器、电机控制和负载开关等。
类型:N沟道
最大漏源电压(Vds):500V
最大漏极电流(Id):25A @25℃
导通电阻(Rds(on)):0.22Ω @Vgs=10V
栅极阈值电压(Vgs(th)):2V ~ 4V
最大功率耗散(Pd):125W
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装形式:TO-220
B25NM50 具备多项优异性能,使其在功率MOSFET市场中备受青睐。首先,其采用了STMicroelectronics的SuperMESH?技术,这项技术显著降低了导通电阻(Rds(on)),从而减少了导通损耗,提高了系统的整体效率。此外,该器件具备较强的电流承载能力和良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行。
其次,B25NM50 的栅极阈值电压范围为2V至4V,适用于多种驱动电路,确保其在不同应用场景中都能可靠地开启和关闭。这种宽阈值电压设计使得它能够兼容不同的控制电路,如微控制器和专用驱动IC。
再者,该MOSFET的封装形式为TO-220,具备良好的散热性能,适合安装在散热片上以增强散热效果。TO-220封装也广泛用于工业级功率电子设备中,便于集成和替换。
最后,B25NM50 在高频开关应用中表现出色,具备较低的开关损耗,有助于提高电源系统的开关频率,从而减小磁性元件和电容的体积,实现更紧凑的设计。
B25NM50 主要应用于需要高效功率转换的场景。例如,在开关电源(SMPS)中,它可用于主开关或同步整流器,以提高转换效率并降低热量产生。在DC-DC转换器中,该器件可用于升压或降压拓扑结构,实现稳定高效的电压调节。
此外,B25NM50 也适用于电机控制和负载开关等应用。在电机控制中,它可以作为H桥的上桥或下桥开关,实现对电机转速和方向的精确控制。在负载开关应用中,该器件能够快速切断或导通电流,保护系统免受过载或短路的影响。
由于其良好的高频性能和热稳定性,B25NM50 还常用于照明系统、工业自动化设备和消费类电子产品中的功率管理模块。
STW25NM50, FQA25N50, IRF250