B251510N 时间：2025/9/9 23:44:15 阅读：33

B251510N 是一款由 Vishay（威世）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率和高可靠性的电源管理领域。该器件具有较低的导通电阻，能够支持较高的电流负载，适用于 DC-DC 转换器、同步整流、负载开关等应用场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　最大连续漏极电流（Id）：6A
　　导通电阻（Rds(on)）：32mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：2.8W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TSOP（小外形晶体管封装）

特性

B251510N MOSFET 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的电流承载能力，能够在较高的负载条件下稳定工作。其 TSOP 封装形式具有较小的尺寸，适用于空间受限的 PCB 设计。B251510N 还具备良好的热稳定性和抗静电能力，适合在各种工业和消费类电子产品中使用。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，在 4.5V 至 10V 之间均可实现良好的导通性能，因此可以与多种控制器或驱动器兼容。此外，B251510N 的开关特性表现优异，具有较快的上升和下降时间，适用于高频开关应用。其漏极和源极之间的击穿电压为 20V，可以在低压大电流的电源转换系统中提供可靠的性能。
　　在实际应用中，B251510N 常用于同步整流电路、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关控制以及电机驱动等场景。由于其封装体积小、效率高，也广泛应用于便携式电子设备和嵌入式系统中。