型号：B2045
　　封装类型：SOT-23-3
　　通道类型：P沟道
　　漏源电压(VDSS)：-20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-4.4A（@VGS = -4.5V）
　　脉冲漏极电流(IDM)：-12A
　　导通电阻(RDS(on))：28mΩ（@VGS = -4.5V）；35mΩ（@VGS = -2.5V）
　　阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -1.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻结到环境(θJA)：约250°C/W
　　栅极电荷(Qg)：约8nC（@VGS = -10V）
　　输入电容(Ciss)：约400pF

B2045作为一款高性能P沟道MOSFET，其最显著的特性之一是低导通电阻RDS(on)，在-4.5V栅源电压下可低至28mΩ，这使得它在大电流负载条件下仍能保持较低的功耗和温升，从而提高整体系统的能效。这一特性特别适用于电池供电设备中，有助于延长续航时间并减少散热设计的复杂性。此外，B2045在-2.5V的较低驱动电压下也能实现35mΩ的导通电阻，表明其具备良好的低电压驱动能力，兼容3.3V或更低逻辑电平的控制信号，无需额外的电平转换电路即可直接由微控制器或电源管理IC驱动。
　　B2045的另一个关键优势在于其快速的开关响应能力。得益于较低的栅极电荷（Qg约为8nC）和输入电容（Ciss约为400pF），该器件能够实现快速的开启和关断过程，减少开关损耗，提升高频开关应用中的性能表现。这对于需要频繁切换电源路径的系统（如热插拔电路或多电源选择器）尤为重要。同时，B2045具备较高的脉冲电流承载能力（IDM达-12A），可在瞬态负载条件下稳定运行，增强了系统的鲁棒性。
　　在可靠性方面，B2045具有宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），适用于各种严苛的工业和消费电子环境。其最大栅源电压为±12V，提供了足够的电压裕量以防止栅极氧化层击穿。此外，该器件通常内置了对静电放电（ESD）的防护机制，增强了在生产装配和现场使用中的耐用性。SOT-23-3的小型封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，降低了制造成本。综上所述，B2045凭借其优异的电气性能、紧凑的封装和高可靠性，成为众多低压P沟道开关应用的理想选择。

B2045广泛应用于各类需要高效电源控制和负载开关功能的电子系统中。最常见的用途之一是作为高端开关（high-side switch），在电池供电设备中用于控制主电源的通断。例如，在智能手机和平板电脑中，B2045可用于电池与系统主电源之间的连接控制，实现待机状态下的零功耗或低功耗模式。当设备关机或进入深度睡眠时，通过关闭B2045可以完全切断后级电路的供电，避免静态电流损耗，从而显著延长电池寿命。
　　此外，B2045也常被用于电源多路选择和自动切换电路中。在支持双电源输入（如USB供电与电池供电）的设备中，B2045可以与其他MOSFET配合，构建理想的二极管或电源优先级选择电路，确保始终由可用性更高或电压更高的电源为系统供电，同时防止反向电流流入未启用的电源路径。这种应用在移动电源、便携式医疗设备和嵌入式控制系统中尤为常见。
　　在电池充电管理系统（BMS）中，B2045还可作为充电通路的控制开关，配合充电IC实现充电使能与异常保护功能。当检测到过压、过流或过热等故障时，控制系统可通过栅极信号迅速关断B2045，切断充电回路，保障电池安全。此外，该器件也适用于LED驱动、DC-DC转换器的同步整流辅助开关以及各类低电压电机驱动电路中的电流控制环节。得益于其小型化封装和高可靠性，B2045同样适用于可穿戴设备、智能家居传感器节点和无线通信模块等对尺寸和功耗极为敏感的应用场景。

SI2301, AOD403, FDMC8628, DMG2301U