型号：B2008
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大漏极电流（ID）：2A（连续）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：8A
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值2.2Ω（在VGS=10V时）
　　栅极阈值电压（Vth）：2V～4V
　　输入电容（Ciss）：约520pF（在VDS=25V时）
　　输出电容（Coss）：约100pF
　　反向恢复时间（trr）：无体二极管快速恢复特性
　　功耗（PD）：50W（带散热器）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-252

B2008 N沟道MOSFET具备出色的高压耐受能力和稳定的导通特性，适用于多种高电压开关应用。其最大漏源电压可达600V，使其非常适合用于离线式开关电源（SMPS）中的初级侧开关，尤其是在反激式（Flyback）拓扑结构中表现优异。该器件在VGS=10V时的导通电阻典型值为2.2Ω，能够在2A的工作电流下保持较低的导通损耗，有助于提升电源系统的整体效率并减少发热。同时，较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）使其在高频开关应用中具有更快的开关速度，降低开关损耗，特别适用于工作频率在几十kHz至数百kHz之间的电源设计。
　　B2008的栅极阈值电压范围为2V～4V，这使得它能够兼容多种驱动电路，包括由控制器IC直接驱动的应用场景。即使在较低的栅极驱动电压下，也能实现有效的导通控制，提高了系统的灵活性。此外，该器件具备良好的热稳定性，采用TO-220或TO-252封装，可通过外接散热器有效散热，确保在长时间高负载运行下的可靠性。其高达150°C的最大工作结温也表明其可在较严苛的环境温度下稳定工作。
　　该MOSFET还具备一定的抗雪崩能力，意味着在突发的电压尖峰或电感反冲情况下，器件能够承受一定程度的能量冲击而不损坏，提升了系统在异常工况下的鲁棒性。同时，其体二极管虽然不具备超快恢复特性，但在大多数非同步整流应用中仍能满足基本需求。综合来看，B2008凭借其高耐压、适中电流能力、低导通电阻和良好的热性能，在中小功率电源领域具有很高的实用价值和市场接受度。

B2008广泛应用于各类中低功率开关电源系统中，典型应用场景包括AC-DC适配器、充电器、LED驱动电源以及小型逆变器等。在反激式开关电源拓扑中，B2008常被用作主开关晶体管，负责将输入的高压直流电通过高频开关方式传递到变压器初级侧，实现能量的周期性存储与释放。由于其600V的高耐压能力，可以直接连接整流后的市电（如220V AC经桥式整流后约310V DC），无需额外的降压电路，简化了系统设计。
　　在DC-DC升压或降压转换器中，B2008也可作为功率开关使用，尤其适用于输入电压较高、输出功率在数十瓦以内的场合。例如，在太阳能照明系统或车载电源转换设备中，B2008可用于构建高效的DC-DC变换电路，实现电压调节与稳压输出。此外，在电机控制领域，特别是小功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，B2008可作为低端开关管使用，配合其他MOSFET实现正反转与调速功能。
　　由于其封装形式（如TO-220）便于安装散热片，B2008也常见于需要长期连续运行的工业控制设备中，如PLC模块、继电器驱动电路或电磁阀控制单元。在这些应用中，B2008不仅承担开关功能，还能有效隔离控制信号与高功率负载，提升系统的安全性和稳定性。此外，该器件还可用于过流保护电路、电子负载设计以及脉冲功率系统中，作为可控的功率通断元件。其广泛的应用适应性使其成为许多工程师在进行中等功率设计时的首选MOSFET之一。

2N60, FQP6N60, STP2NA60, K2008, 10N60, IRF840