器件类型：TVS 二极管阵列
　　通道数：1 通道（单路）
　　工作电压（VRWM）：5.0V
　　击穿电压（VBR）：典型值 6.4V（最大 7.1V）
　　钳位电压（VC）：最大 14.0V（在 IPP = 1A 条件下）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1A（8/20μs 波形）
　　漏电流（IR）：最大 1μA @ VRWM
　　电容值（Cj）：典型值 1.5pF @ 0V
　　极性：双向
　　封装形式：SOD-523（SC-79）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　焊接温度：260°C（最大，10 秒）
　　符合标准：RoHS 合规，无卤素，符合 JEDEC J-STD-020 回流焊要求

B2(5.0)B-XAES-1-T(LF)(SN) 的核心特性之一是其超低结电容设计，典型值仅为 1.5pF，这使得该器件非常适合用于高速数据传输线路的 ESD 保护。在现代电子设备中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和便携式医疗设备，数据速率越来越高，传统保护器件由于寄生电容过大可能导致信号失真或衰减。该 TVS 阵列通过优化的芯片结构和材料选择，实现了极低的寄生电容，在不影响信号完整性的前提下提供可靠的过压保护。
　　其次，该器件具备出色的 ESD 抑制能力，能够承受 IEC 61000-4-2 Level 4 标准下的 ±15kV 接触放电和 ±8kV 空气放电测试。这意味着即使在恶劣的电磁环境中，也能有效吸收和泄放静电能量，避免敏感 IC 如收发器、微控制器或传感器受损。其快速响应时间小于 1ns，可在 ESD 事件发生的瞬间立即进入钳位状态，限制电压上升幅度，确保被保护线路的安全。
　　另一个重要特点是其双向电压特性，适用于交流信号或双极性信号线路保护。与单向 TVS 不同，双向结构允许正负方向的瞬态电压都被有效抑制，因此可用于 RS-485、CAN 总线等差分信号线中。同时，其低钳位电压（最大 14V）确保了即使在大电流冲击下，输出端电压也不会过高，从而避免后级 CMOS 器件因过压而击穿。
　　该器件还具有优异的热稳定性和长期可靠性。采用先进的硅晶圆制造工艺和坚固的封装技术，能够在 -55°C 到 +150°C 的宽温范围内稳定工作，适用于严苛的工业和汽车环境。此外，SOD-523 小型封装不仅节省 PCB 空间，而且便于自动化贴装，提升了生产效率和产品一致性。整体而言，B2(5.0)B-XAES-1-T(LF)(SN) 在性能、尺寸和可靠性之间达到了良好平衡，是现代电子系统中理想的 ESD 保护解决方案。

该器件广泛应用于需要高等级静电防护的便携式和高性能电子设备中。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的 USB 接口（尤其是 USB 2.0 和 USB Type-C CC/SBU 引脚）、HDMI 和 DisplayPort 视频接口、耳机插孔、SIM 卡槽、SD 卡接口等易受人体接触 ESD 影响的部位。由于这些接口频繁插拔，极易积累和释放静电，使用 B2(5.0)B-XAES-1-T(LF)(SN) 可显著提高产品的耐用性和用户安全性。
　　在通信领域，该 TVS 阵列可用于保护 RS-485、CAN、LIN 等工业总线接口免受现场环境中产生的瞬态干扰。例如，在工厂自动化系统或楼宇控制网络中，长距离布线容易耦合雷击感应或电源切换噪声，该器件能有效抑制此类瞬态电压，提升系统的抗扰度和稳定性。
　　此外，消费类电子产品如数码相机、智能手表、无线耳机等也常采用此型号进行内部高速信号线路保护。其小型封装特别适合空间受限的设计，同时保证足够的保护等级。在汽车电子方面，虽然该型号非 AEC-Q101 认证，但仍可用于部分车载信息娱乐系统的辅助接口保护，前提是满足相应的环境应力要求。
　　总之，凡是存在低电压、高速信号且需抵御 ESD 威胁的场合，B2(5.0)B-XAES-1-T(LF)(SN) 都是一个可靠的选择，尤其适合那些追求小型化、高性能和高可靠性的终端产品设计。

SP0503BAHTN-LP
　　RCLAMP0503QX
　　SRV05-4
　　TPD1E101B01DPYR
　　EMIF05-2STA