时间：2025/4/25 17:47:33
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B170NF04是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它被广泛用于开关和放大应用中，特别是在需要高效功率转换的场景。这种器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合在高频开关电源、电机驱动器以及其他功率管理电路中使用。
B170NF04采用TO-252（DPAK）封装形式，这种封装有助于提高散热性能并节省PCB空间。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：3.6A
导通电阻（Rds(on)）：90mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：1.1W
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 低导通电阻设计可以减少功率损耗，从而提高效率。
2. 快速开关速度使其非常适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力增强了器件的坚固性和可靠性。
4. 具有优异的热稳定性和较低的热阻，可改善散热性能。
5. 小型封装节省了印刷电路板的空间，同时保持良好的电气性能。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的开关元件。
3. 电机控制和驱动电路。
4. 负载开关和保护电路。
5. 各种电池管理系统的功率路径控制。
6. 消费类电子产品中的功率管理模块。
IRF7404, AO3400A, FDP158N04L
