类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：10A（在Vgs=10V时）
　　导通电阻（Rds(on)）：18mΩ（最大值，典型值为14mΩ）
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOP8（表面贴装）

B140T MOSFET采用了东芝先进的U-MOS VIII技术，这种技术使得器件具有极低的导通电阻和优异的开关性能。其低Rds(on)特性不仅减少了导通损耗，还提高了整体系统的效率。此外，B140T的封装设计具有良好的热管理能力，有助于在高电流工作条件下保持稳定的性能。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至10V之间的驱动，使其适用于多种驱动IC的匹配。
　　在电气特性方面，B140T具备快速开关速度，降低了开关损耗，从而适用于高频开关应用。此外，其漏极和源极之间的体二极管也具有良好的反向恢复特性，有助于减少开关过程中的电压尖峰。
　　机械和封装方面，B140T使用的是SOP8封装，这种封装形式不仅节省空间，而且具备良好的焊接可靠性和热稳定性，非常适合自动化生产。

B140T常用于各种电源管理应用，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池保护电路以及便携式电子设备的电源管理系统。由于其低导通电阻和高效率，它在需要高效能和低功耗的系统中表现出色，例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、电源适配器和LED驱动器等应用中都有广泛应用。
　　此外，B140T也可用于电机驱动电路、工业控制设备以及汽车电子系统中的电源控制模块。

B140T的替代型号包括B140TAK、B140T-TR、B140T-V5、B140T-V5TR、B140T-TR-E等。这些型号在封装、电气特性或温度范围方面略有不同，可以根据具体应用需求进行选择。例如，B140T-TR适用于卷带包装，适合自动化贴片机使用；而B140T-V5则可能具有不同的热阻特性，适用于高热管理要求的电路设计。