类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流阻断电压（VR）：40V
　　平均整流电流（IO）：1.0A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms半正弦波）
　　最大正向电压（VF）：500mV @ 1.0A（典型值），650mV @ 1.0A（最大值）
　　最大反向漏电流（IR）：200μA @ 40V（25°C），500μA @ 40V（100°C）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SMA（DO-214AC）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　焊接温度（焊料温度，10秒）：260°C
　　热阻（RθJA）：150°C/W（典型，PCB板上）
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（<30°C / 85% RH）

B140BQ-13-F的核心优势在于其低正向导通压降与高速开关性能的结合。该器件采用肖特基势垒结构，利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而显著降低了正向导通时的电压损耗。在1A电流下，其典型正向压降仅为500mV，最大不超过650mV，这一特性有效减少了功率损耗，提高了电源转换效率，特别适用于电池供电设备或对能效要求高的应用场景。
　　此外，由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不存在少数载流子的存储效应，因此具备极快的反向恢复速度，反向恢复时间几乎可以忽略不计。这使得B140BQ-13-F在高频开关电路（如开关模式电源SMPS、DC-DC变换器）中表现优异，可大幅降低开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。
　　该器件的最大重复反向电压为40V，适合用于低压直流系统中的整流、续流和反向极性保护。例如，在同步整流替代方案中，虽然不能完全取代MOSFET，但在成本敏感型设计中仍可作为简单高效的续流路径选择。
　　B140BQ-13-F采用SMA封装，尺寸紧凑（约4.5mm x 2.7mm x 2.1mm），便于在空间受限的PCB布局中使用。其热阻约为150°C/W，配合适当的PCB铜箔散热设计，可在1A持续电流下稳定运行。同时，器件通过AEC-Q101认证的可能性较高（需查证具体批次），适用于汽车电子等高可靠性领域。
　　环境适应性强是另一亮点。器件可在-65°C至+125°C的工作结温范围内正常运行，存储温度更可达-65°C至+150°C，确保在极端环境下的稳定性。此外，符合RoHS指令且不含卤素，满足现代环保法规要求。

B140BQ-13-F广泛应用于各类需要高效、快速整流功能的电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流环节，尤其是在低压大电流输出拓扑中，其低VF特性有助于提高整体转换效率。在DC-DC升压、降压及反激式转换器中，常被用作续流二极管或箝位二极管，以防止电感反电动势损坏主控IC或MOSFET。
　　在电池充电管理系统（BMS）或便携式设备电源路径管理中，该二极管可用于防止电池反向放电或实现电源冗余切换。例如，在双电源输入系统中，利用其单向导通特性构建“或”逻辑电源选择电路，实现无缝电源切换。
　　此外，B140BQ-13-F也适用于逆变器电路、电机驱动模块中的感应电压吸收回路，以及各类适配器、LED驱动电源、USB供电设备等消费类电子产品。在汽车电子中，可用于车载充电器、LED照明电源、车身控制模块等12V或24V低压系统中的整流与保护功能。
　　由于其表面贴装封装形式，非常适合自动化SMT生产线，广泛用于智能手机、平板电脑、路由器、智能家居控制器等小型化电子设备中。同时，也可用于工业传感器、PLC模块、仪器仪表等对可靠性和稳定性要求较高的场合。

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　　 "SS14",
　　 "MBR140",
　　 "SB140",
　　 "1N5819WS",
　　 "SR140",
　　 "PMES280",
　　 "BAT54C",
　　 "FDMS8880"
　　]