B1250T 时间：2025/12/26 21:29:50 阅读：8

B1250T是一款由Diodes Incorporated生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用SMA（DO-214AC）封装，广泛应用于电源整流、续流二极管和反向电压保护等场景。该器件具有低正向压降和快速开关特性，能够有效提升系统效率并减少功率损耗。B1250T属于通用型高压肖特基二极管，适用于中等电流、高频率的开关电源设计。其最大重复峰值反向电压为1250V，典型正向电流为1A，使其在多种工业和消费类电子设备中具备良好的适用性。该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性和可靠性，适合在较宽的工作温度范围内使用。由于其高耐压和紧凑封装，B1250T常用于AC-DC转换器、LED照明电源、适配器以及逆变器电路中作为整流元件。此外，该器件对瞬态电压具有一定的耐受能力，有助于提高系统的抗干扰能力和长期运行稳定性。

参数

类型：肖特基二极管
　　封装/外壳：SMA（DO-214AC）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：1250V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（单个半正弦波）
　　正向压降（VF）：1.3V（典型值，@ IF = 1A）
　　反向漏电流（IR）：10μA（最大值，@ VR = 1250V, 25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：约150°C/W（典型值，PCB板上）
　　反向恢复时间（trr）：≤ 30ns（典型值）

特性

B1250T的核心优势在于其高反向耐压能力与肖特基二极管快速响应特性的结合，这在传统肖特基二极管中较为罕见，因为大多数肖特基器件的反向电压通常低于200V。然而，B1250T通过特殊的半导体工艺优化，在保持较低正向导通压降的同时实现了高达1250V的反向耐压，使其能够在高压应用中替代部分快恢复二极管或超快恢复二极管。这种设计显著降低了开关过程中的能量损耗，提高了整体电源转换效率。其正向压降在1A电流下仅为1.3V左右，相较于传统PN结二极管（如1N4007系列）具有更优的能效表现。此外，该器件的反向恢复时间极短（小于30ns），几乎不存在反向恢复电荷积累现象，从而大幅减少了高频开关过程中产生的电磁干扰（EMI）和开关尖峰电压，有利于简化滤波电路设计。
　　在可靠性方面，B1250T具备出色的热管理能力，可在高达+150°C的结温下持续工作，适用于高温环境下的工业控制设备或封闭式电源模块。其SMA封装便于自动化贴装，适合大规模生产应用。器件还具备良好的抗潮湿和机械稳定性，满足JEDEC标准的湿度敏感等级要求。尽管其反向漏电流在高温下会有所上升（例如在125°C时可能达到数百微安），但这一特性在大多数应用中仍处于可接受范围。总体而言，B1250T在高压、小电流、高频率的应用场景中提供了优异的性能平衡，是现代高效电源系统中理想的整流与保护元件。

应用

B1250T主要应用于需要高压整流和快速响应的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流环节，尤其是在反激式（Flyback）和升压（Boost）拓扑结构中，用作主整流二极管或钳位二极管。由于其高耐压特性，它特别适合输入电压较高的AC-DC适配器、充电器和LED驱动电源。在这些应用中，B1250T不仅能承受来自电网或负载侧的高压冲击，还能通过低导通损耗降低温升，提升系统效率。此外，该器件也常用于逆变器电路中作为续流二极管，防止感性负载（如电机或继电器）断电时产生的反电动势损坏开关器件（如MOSFET或IGBT）。
　　在工业控制系统中，B1250T可用于直流电源模块的防反接保护和极性保护电路，确保系统在误接电源时不受损害。同时，其快速响应能力使其适用于高频脉冲整流场合，例如在射频电源或感应加热设备中进行信号解调或能量回收。另外，由于其封装小巧且易于散热，B1250T也被广泛用于空间受限的便携式设备电源管理单元中。值得注意的是，虽然该器件具有较高的耐压能力，但由于其额定电流仅为1A，因此不适合大功率连续负载应用，更多用于中低功率级别的电路保护和整流任务。