型号：B120WG
　　制造商：Diodes Incorporated
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：4.4A @ 70°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：17.6A
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻 RDS(on)：23mΩ @ VGS = 10V
　　导通电阻 RDS(on)：28mΩ @ VGS = 4.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：0.6V ~ 1.2V
　　输入电容（Ciss）：520pF @ VDS = 10V
　　开关时间（开启时间）：10ns
　　开关时间（关断时间）：14ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

B120WG采用先进的沟槽型MOSFET工艺，使其在低电压应用中表现出卓越的电气性能。其核心优势之一是极低的导通电阻，在VGS=10V时仅为23mΩ，而在典型的4.5V栅压下也仅28mO，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统的整体能效。这种低RDS(on)特性特别适用于电池供电设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电源路径管理电路，能够有效延长电池续航时间。
　　该器件的阈值电压范围为0.6V至1.2V，意味着它可以在较低的栅极驱动电压下开始导通，非常适合与低压逻辑IC（如微控制器或GPIO输出）直接接口，无需额外的电平转换电路。这对于简化设计、减少元件数量和降低成本非常有利。同时，B120WG具备良好的开关特性，输入电容仅为520pF，开关时间短（开启约10ns，关断约14ns），使其适用于高频开关应用，例如同步整流、DC-DC降压变换器和高端开关配置。
　　热稳定性方面，B120WG可在高达+150°C的结温下安全运行，并且SOT-23封装虽然体积小巧，但通过优化PCB布局可以实现有效的散热管理。器件还具备良好的抗雪崩能力和ESD保护能力，增强了在复杂电磁环境下的可靠性。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于现代电子产品的合规性要求。综合来看，B120WG是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET，凭借其低导通电阻、快速开关响应和宽泛的工作温度范围，成为众多中小功率电源管理应用的理想选择。

B120WG主要用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。常见应用场景包括便携式消费类电子产品中的电源开关和电池管理电路，例如在移动电源、蓝牙耳机、智能手表等设备中作为负载开关控制不同功能模块的供电通断，以实现节能待机或防止反向电流。此外，它也广泛用于DC-DC转换器中的同步整流部分，替代传统肖特基二极管以降低导通损耗，提高转换效率，尤其是在3.3V、5V或12V输入的降压拓扑结构中表现优异。
　　在工业控制领域，B120WG可用于驱动继电器、LED灯串或小型直流电机，作为低端开关使用，配合微控制器实现精确的数字控制。由于其具备良好的瞬态响应能力和较高的电流承载能力（峰值可达17.6A），也能胜任突发性大电流负载的切换任务。另外，在热插拔电路和过流保护模块中，该器件常被用作主控开关元件，结合限流检测电路实现安全上电和故障隔离。
　　在计算机及通信设备中，B120WG可用于主板上的电源域切换、USB端口的电源控制以及风扇调速驱动等场合。其小型化的SOT-23封装非常适合高密度PCB布局，有利于缩小产品体积。同时，因其支持逻辑电平驱动，可以直接由MCU或电源管理IC驱动，无需外加驱动芯片，进一步简化了系统设计。总之，B120WG凭借其优异的电气特性和紧凑封装，已成为现代电子设备中不可或缺的基础功率元件之一。

DMG2302UK-7
　　FDS6680A
　　AO3400