B120B-7是一款由Diodes Incorporated生产的双极性晶体管(BJT)阵列器件。该器件包含两个独立的NPN晶体管,通常用于需要高频率响应和低噪声特性的应用场合。B120B-7采用小型SOT-26封装,适合在空间受限的电路设计中使用,广泛应用于放大电路、开关电路和数字逻辑电路中。
晶体管类型:NPN x2
集电极-发射极电压(Vceo):50V
最大集电极电流(Ic):100mA
最大功耗(Pd):300mW
增益带宽积(fT):250MHz
电流增益(hFE):110~800(根据不同等级)
封装类型:SOT-26
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
B120B-7内部集成两个NPN晶体管,能够在单个封装中实现多个功能,从而减少PCB板的空间占用和整体成本。该器件具有较高的频率响应,适用于射频(RF)和高速开关应用。其电流增益范围较宽,可以根据具体应用选择合适的增益等级,从而提高设计灵活性。此外,B120B-7的封装设计具有良好的热稳定性和可靠性,适合在高温环境下工作。
每个晶体管之间具有良好的匹配特性,使其在差分放大器和对称性要求较高的电路中表现出色。B120B-7的低饱和电压和快速响应时间,使其在低功耗和高效率应用中表现出色。
B120B-7常用于模拟和数字电路中的信号放大、缓冲和开关控制。典型应用包括音频放大器、射频前端模块、电压调节电路、逻辑电平转换以及各种低功耗便携式电子设备中的控制电路。由于其高频特性和良好的匹配性能,B120B-7也适用于振荡器、混频器和调制解调电路等射频应用。
BC847BDS, MBT3904LT1G, MMBT3904