B1204-Q 时间：2025/9/21 3:41:58 阅读：5

B1204-Q是一款由Diodes Incorporated生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用紧凑型表面贴装封装，专为高效率、高频整流应用而设计。该器件结合了低正向电压降和快速开关特性，适用于对能效和空间布局有严格要求的现代电子系统。B1204-Q的“-Q”后缀通常表示其符合汽车级可靠性标准（AEC-Q101认证），使其特别适用于车载电子设备中的电源管理模块。该二极管在消费类电子产品、工业控制、通信设备以及汽车电子中均有广泛应用。其结构基于铂-硅势垒技术，能够在高温和高电流条件下保持稳定的性能表现，同时具备良好的热稳定性和抗浪涌能力。封装形式为SOD-123FL，具有较小的占位面积和较低的寄生电感，有助于提升高频电路的整体效率。此外，B1204-Q还具备优良的反向漏电流控制能力，在高温环境下仍能维持较低的功耗水平，从而延长系统寿命并提高整体可靠性。

参数

产品类型：肖特基二极管
　　配置：单路
　　是否无铅：是
　　是否符合RoHS规范：是
　　反向重复峰值电压(VRRM)：40V
　　直流阻断电压(VR)：40V
　　平均整流电流(IO)：1A
　　正向压降(VF)：最大580mV @ 1A, 150°C
　　峰值浪涌电流(IFSM)：30A @ 8.3ms 半正弦波
　　工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C
　　反向恢复时间(trr)：典型值 < 5ns
　　封装/外壳：SOD-123FL

特性

B1204-Q的核心优势在于其低正向压降与快速开关特性的完美结合，这使得它在各类电源转换电路中表现出色。其正向压降在1A电流下仅为580mV左右，显著低于传统PN结二极管，这意味着在相同工作条件下可大幅降低导通损耗，提高系统整体效率。这种低VF特性尤其在电池供电设备或需要节能运行的应用中至关重要，能够有效减少发热并延长续航时间。由于采用了先进的肖特基势垒结构，该器件几乎不存在少数载流子储存效应，因此反向恢复时间极短，典型值小于5纳秒，非常适合用于高频开关电源、续流二极管、极性保护和OR-ing电路等场景。
　　另一个关键特性是其优异的热性能和稳定性。B1204-Q可在高达+150°C的结温下持续工作，且在高温环境中仍能保持较低的反向漏电流水平，避免因漏电增加而导致的热失控问题。这一特性使其适用于发动机舱附近或其他高温环境下的汽车电子系统。此外，该器件通过了AEC-Q101认证，意味着其在机械强度、温度循环、湿度敏感度和长期可靠性方面均满足汽车行业严苛的标准要求，确保在恶劣工况下依然可靠运行。
　　SOD-123FL封装不仅体积小巧（约2.7mm x 1.6mm x 1.1mm），还优化了散热路径和电气连接，有助于实现高密度PCB布局。该封装具有低内部电感和良好焊接可靠性，适合自动化贴片生产流程。同时，器件具有较高的峰值浪涌电流承受能力（30A），可在瞬态过载或启动冲击期间提供足够的安全裕量，增强了系统的鲁棒性。综合来看，B1204-Q是一款兼具高性能、高可靠性和小型化的理想选择，广泛适用于DC-DC转换器、AC适配器、LED驱动电源、USB充电端口保护及车载信息娱乐系统等多种应用场景。