时间:2025/12/26 22:16:57
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B1200CAL是一款由ONSEMI(安森美)公司生产的表面贴装肖特基势垒二极管,采用SOD-123FL小型封装,适用于高密度和空间受限的电子设计。该器件专为高效能整流、反向电压保护以及高频开关应用而设计,凭借其低正向压降和快速恢复特性,在电源管理、DC-DC转换器、逆变器和消费类电子产品中广泛应用。B1200CAL的结构基于肖特基势垒技术,利用金属-半导体结实现比传统PN结二极管更低的导通损耗和更快的开关速度。这使其在便携式设备和节能型电源系统中成为理想选择。该器件符合RoHS环保标准,并通过AEC-Q101车规级认证,表明其具备在汽车电子等严苛环境中稳定工作的能力。此外,SOD-123FL封装具有较小的占板面积和良好的热性能,有助于提高PCB布局的灵活性并增强系统的整体可靠性。
类型:肖特基势垒二极管
最大重复反向电压(VRRM):20V
最大直流阻断电压(VR):20V
平均整流电流(IO):1A
峰值正向浪涌电流(IFSM):30A(8.3ms单半波)
正向压降(VF):450mV(典型值,@ IF = 1A, TJ = 25°C)
最大正向压降(VF):600mV(@ IF = 1A, TJ = 25°C)
反向漏电流(IR):0.1mA(典型值,@ VR = 20V, TJ = 25°C)
最大反向漏电流(IR):100μA(@ VR = 20V, TJ = 25°C)
反向恢复时间(trr):≤5ns
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
封装:SOD-123FL
极性:中心阴极
B1200CAL的核心优势在于其优异的电气性能与紧凑的封装设计相结合。该器件采用先进的肖特基势垒技术,利用铂-硅或钛-硅金属-半导体接触形成势垒,显著降低了正向导通压降。在1A电流下,其典型正向压降仅为450mV,最大不超过600mV,这一特性大幅减少了导通状态下的功率损耗,提升了电源转换效率,特别适合用于电池供电设备或对能效要求较高的应用场合。由于没有少数载流子的存储效应,肖特基二极管具备天然的快速开关能力,B1200CAL的反向恢复时间(trr)小于5纳秒,几乎可以忽略不计。这种极短的恢复时间有效抑制了高频开关过程中产生的反向恢复电流尖峰,降低了电磁干扰(EMI)和开关损耗,使得该器件非常适合应用于高频DC-DC变换器、同步整流旁路二极管以及开关电源中的续流或箝位电路。
该器件的额定平均整流电流为1A,峰值浪涌电流可达30A,具备较强的瞬态电流承受能力,能够应对启动或负载突变时的电流冲击。其最大反向电压为20V,适用于低电压直流系统中的整流与防反接保护。在高温环境下,虽然肖特基二极管的反向漏电流会随结温升高而增加,但B1200CAL在125°C时仍能保持较低的漏电流水平,确保系统稳定性。此外,该器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C,支持极端环境下的可靠运行,满足工业级和汽车级应用需求。SOD-123FL封装不仅体积小巧(典型尺寸约2.1mm x 1.3mm x 1.1mm),还优化了引脚设计以改善焊接可靠性和散热性能。该封装支持自动贴片工艺,适用于大规模自动化生产。B1200CAL符合无铅和RoHS指令要求,并通过AEC-Q101认证,进一步增强了其在汽车电子、车载充电系统、LED照明和便携式电源管理模块中的适用性。
B1200CAL广泛应用于需要高效、小型化和高可靠性的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理电路,作为DC-DC升压或降压转换器的续流二极管,有效提升转换效率并延长电池续航时间。在适配器和充电器中,它可用于次级侧整流或输出端防反接保护,减少发热并提高系统能效。在光伏微逆变器和小型太阳能充电控制器中,该器件因其低正向压降和快速响应特性,常被用作防反二极管,防止夜间电池反向放电。此外,B1200CAL也适用于工业控制模块、传感器供电电路和电机驱动中的箝位与保护功能。由于其通过AEC-Q101认证,该器件在汽车电子领域也有广泛应用,例如车载信息娱乐系统、LED车灯驱动、车身控制模块和电池管理系统(BMS)中的电压隔离与保护电路。其小尺寸封装特别适合高密度PCB布局,有助于缩小产品体积,满足现代电子产品轻薄化的设计趋势。
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"BAT54C",
"RB751S40",
"SS12",
"MBR120"
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