型号：B1133
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大连续漏极电流（Id）：4.4A
　　最大脉冲漏极电流（Id_pulse）：17.6A
　　最大耗散功率（Pd）：1W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　栅源击穿电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻Rds(on) @ Vgs=10V：35mΩ
　　导通电阻Rds(on) @ Vgs=4.5V：45mΩ
　　阈值电压（Vgs(th)）典型值：1.1V
　　输入电容（Ciss）：590pF @ Vds=15V
　　输出电容（Coss）：140pF @ Vds=15V
　　反向传输电容（Crss）：40pF @ Vds=15V
　　栅极电荷（Qg）：12nC @ Vgs=10V

B1133采用先进的Trench结构MOSFET技术，这种结构通过优化沟道设计显著降低了导通电阻，从而提高了整体效率并减少了发热问题。该器件在低电压应用中表现尤为出色，尤其是在3.3V或5V逻辑电平驱动条件下，能够在较低的栅极驱动电压下实现充分导通。其Rds(on)在Vgs=4.5V时仅为45mΩ，使得它非常适合用于电池供电设备中的电源开关和负载切换应用。
　　该MOSFET具有快速的开关响应能力，得益于较小的输入和输出电容，能够有效减少开关过程中的能量损耗，提升系统整体能效。这对于高频率工作的DC-DC变换器尤为重要。同时，较低的栅极电荷（Qg）意味着驱动电路所需的电流更少，进一步降低了控制器的负担，有利于简化外围电路设计。
　　B1133还具备良好的热稳定性和过载承受能力。其最大结温可达150°C，并支持宽范围的工作环境温度，确保在恶劣工况下的可靠运行。器件内部经过优化的热传导路径可以有效地将热量从芯片传递到封装表面，便于通过PCB进行散热。
　　此外，B1133的SOT-23小型化封装不仅节省了宝贵的PCB空间，而且兼容标准的表面贴装工艺，便于自动化生产。这种封装形式也增强了产品的可制造性与一致性，适用于大批量生产场景。综合来看，B1133是一款高性能、高性价比的N沟道MOSFET，特别适合对尺寸、效率和成本都有较高要求的应用领域。

B1133广泛应用于多种电子系统中，特别是在需要高效开关控制的小功率电源管理场合。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源路径管理模块。在这些设备中，B1133可用于控制电池对不同功能模块的供电通断，以实现节能和延长续航时间。
　　在DC-DC转换器拓扑中，B1133常作为同步整流器或主开关管使用，尤其适用于降压型（Buck）转换器。凭借其低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高转换效率，减少能量损耗。此外，它也被用于LED驱动电路中，作为恒流源的开关元件，提供稳定的亮度控制。
　　工业控制领域中，B1133可用于小型继电器驱动、传感器电源控制和电机启停控制等场景。由于其具备较强的抗干扰能力和可靠的电气隔离性能，可以在电磁环境复杂的工业现场稳定运行。
　　在消费类电子产品中，例如路由器、机顶盒、USB充电器等设备中，B1133常用于电源管理单元，执行上电时序控制、故障保护切断等功能。其小型封装也使其成为空间受限设计的理想选择。
　　此外，B1133还可用于热插拔电路设计，防止带电插拔过程中产生的浪涌电流损坏系统主板或其他关键组件。总之，凭借其优异的电气性能和紧凑的封装形式，B1133在现代电子设计中扮演着重要角色。

BSS138
　　FDS6679A
　　SI2302DS
　　AO3400