时间：2025/5/16 16:47:18
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B1101NG-20C-000133 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，采用先进的半导体制造工艺。它广泛应用于功率转换、电机驱动、电源管理等场景。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特性，适合需要高效能和稳定性的电子系统。
这款晶体管的设计能够承受较大的电流负载，并且具备优秀的热性能，从而使其在高功率应用中表现出色。此外，其封装形式优化了散热性能并简化了 PCB 布局设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：105A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：225W
工作温度范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-3
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗，提高整体效率。
2. 快速开关特性，适用于高频应用场合。
3. 高浪涌电流能力，可应对瞬态电流冲击。
4. 内置雪崩击穿保护功能，增强器件的耐用性。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料制作。
6. 稳定的工作性能，支持极端温度环境下的可靠运行。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器的核心组件。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
4. 新能源领域，如太阳能逆变器和电动车控制器。
5. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
6. 各种高电流、高效率需求的电子设备中作为功率级组件使用。
B1101NG-25C-000133
B1101PG-20C-000133
IRF840
STP105N06LL
