型号：B08-1K
　　类型：瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array）
　　通道数：8通道
　　工作电压（VRWM）：5V
　　击穿电压（VBR）：6.5V @ 1mA
　　最大钳位电压（VC）：12V @ 1A
　　峰值脉冲功率（PPPM）：100W
　　电容值（Cj）：典型值0.5pF
　　漏电流（IR）：≤1μA
　　封装形式：DFN-10L
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　ESD防护等级：IEC 61000-4-2 Level 4（±8kV接触放电，±15kV空气放电）

B08-1K的核心特性在于其卓越的瞬态电压抑制能力和超低寄生电容表现，使其成为高速数据线路的理想保护方案。每个通道均具备独立的TVS结构，能够在纳秒级时间内响应高达±15kV的静电冲击，迅速将过压能量泄放到地，从而保护后端CMOS集成电路免受损伤。这种快速响应机制得益于其内部优化的PN结设计与低动态电阻特性，使得钳位电压保持在安全范围内，避免误触发或信号失真。
　　该器件具有极低的结电容（典型值仅为0.5pF），确保在GHz级别的信号频率下仍能维持良好的信号完整性，不会引入明显的插入损耗或反射噪声。这对于支持USB 3.0及以上速率的数据传输至关重要。同时，其对称双向保护结构可应对正负极性瞬变事件，增强了系统的鲁棒性。
　　B08-1K还具备优异的热稳定性和长期可靠性，经过高温高湿偏压测试（如85°C/85%RH）验证，可在恶劣环境下持续工作而不发生性能退化。其DFN-10L封装不仅节省空间，还提供了良好的散热路径，有助于提升功率耐受能力。此外，器件内部布局经过电磁兼容性（EMC）优化，减少了串扰和辐射发射，满足FCC、CE等国际认证要求。
　　值得一提的是，B08-1K在制造过程中采用了晶圆级封装技术（WLCSP）和先进蚀刻工艺，保证了批次间的一致性和良率。其低漏电流（≤1μA）特性也使其适用于电池供电设备，有助于延长待机时间。整体而言，B08-1K凭借其高性能、小尺寸与高集成度，已成为众多高端电子产品的首选ESD保护方案。

B08-1K广泛应用于各类需要高等级静电防护的电子系统中，尤其适用于高速差分信号线和敏感模拟前端。常见应用场景包括智能手机和平板电脑中的USB Type-C接口、耳机插孔、触摸屏控制器连接线等，这些位置极易受到人体静电影响，使用B08-1K可显著提高整机ESD抗扰度并降低返修率。
　　在笔记本电脑和显示器领域，B08-1K被用于HDMI、DP（DisplayPort）和eDP信号线的保护，保障高清视频信号的稳定传输。其低电容特性确保不会导致眼图闭合或时序偏移，满足高速协议的电气规范要求。
　　此外，该器件也适用于工业通信模块，如RS-485、CAN总线接口的辅助防护，以及IoT设备中的传感器输入端保护。在汽车电子中，尽管非车规级版本不直接用于动力系统，但可用于车载信息娱乐系统的外设接口防护。
　　医疗电子设备中对信号精度要求极高，B08-1K因其低噪声和高稳定性，也被用于便携式监护仪、超声探头连接器等部位的瞬态抑制。总之，凡是有高速信号传输且存在ESD风险的场合，B08-1K都能提供可靠而高效的解决方案。

B08-2R
　　B08-3K
　　B08-4R