时间：2025/8/13 11:20:22
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B0530WST1G是一种双极型晶体管（BJT），通常用于高频放大和开关应用。该器件由安森美半导体（ON Semiconductor）生产，采用SOT-23封装，具有良好的高频特性和稳定性。该晶体管的结构为NPN型，适用于多种电子设备中的信号处理和控制。
晶体管类型：NPN
封装类型：SOT-23
最大集电极电流：100 mA
最大集电极-发射极电压：30 V
最大基极电流：20 mA
最大功耗：300 mW
频率响应：250 MHz
电流增益（hFE）：110（最小）至800（最大）
工作温度范围：-55°C至150°C
B0530WST1G晶体管具有优异的高频性能，适合用于射频（RF）和中频（IF）放大器的设计。该器件的增益带宽积较高，能够支持高达250 MHz的频率响应，适用于需要快速开关和高增益的应用。此外，B0530WST1G的低噪声系数和高线性度使其在通信系统中表现良好。
该晶体管的电流增益范围较宽，从110到800，可根据具体应用选择合适的工作点。这种灵活性使其能够适应不同的电路设计需求。B0530WST1G还具有较低的饱和压降，能够在开关应用中减少功耗并提高效率。
在可靠性方面，B0530WST1G经过严格的测试，具有较长的使用寿命和稳定的性能。其SOT-23封装提供了良好的散热性能，适用于紧凑型电路设计。
B0530WST1G广泛应用于高频放大器、射频电路、中频放大器、开关电路以及信号处理电路中。在无线通信设备中，该晶体管可用于射频前端放大器和中频放大器模块。此外，它还适用于音频放大器设计中的前置放大级，提供高增益和低噪声性能。在工业控制和自动化系统中，B0530WST1G可作为开关元件使用，控制电路中的信号通断。
BC847 NPN, 2N3904, PN2222A
