类型：射频功率放大器
　　工艺：砷化镓（GaAs）
　　封装形式：TR（表面贴装）
　　工作频率范围：1.3 GHz 至 3.8 GHz
　　增益：19 dB
　　输出功率（Psat）：40 dBm
　　效率：50%
　　电源电压：6 V
　　静态电流：500 mA
　　输入匹配阻抗：50 Ω
　　输出匹配阻抗：50 Ω
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

AiP4004AGB236.TR 提供卓越的射频性能，能够显著提升系统的覆盖范围和通信质量。其核心优势包括：
　　1. 高效率：通过先进的 GaAs 工艺和电路设计优化，能够在高频条件下保持高能效比，从而降低散热需求并提高系统可靠性。
　　2. 宽带支持：适用于从 1.3 GHz 到 3.8 GHz 的多种射频应用场景，灵活性强。
　　3. 高增益：稳定的 19 dB 增益确保了信号强度的显著增强，同时减少了对外部驱动级的需求。
　　4. 良好的线性度：通过内置预失真技术或负载牵引设计，有效抑制信号失真并维持较高的 ACLR 性能。
　　5. 紧凑封装：TR 表面贴装封装形式使其非常适合需要高度集成的小型化产品。
　　6. 广泛的工作温度范围：可适应极端气候条件下的稳定运行，满足户外设备的要求。

AiP4004AGB236.TR 主要应用于以下领域：
　　1. 卫星通信系统：为地球站终端提供高效的射频信号放大功能。
　　2. 雷达系统：作为脉冲发射机的核心组件，实现目标探测和跟踪。
　　3. 无线基础设施：用于基站和中继站中的射频信号增强，改善网络覆盖。
　　4. 军用无线电：为战术通信设备提供可靠的高功率射频输出。
　　5. 测试与测量设备：用于模拟复杂射频环境以验证其他电子系统的性能。

AiP4004AGB236.SMD, MRF4004BG, RFPA-S38