AZ75232GE 时间：2025/4/30 15:42:23 阅读：19

AZ75232GE是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于需要高效能和稳定性的电路设计。
　　该型号属于增强型N沟道MOSFET，能够承受较高的漏源电压和连续电流。其封装形式通常为TO-220或DPAK，适合表面贴装和通孔安装应用。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：30A
　　导通电阻（典型值）：1.5mΩ
　　栅极电荷：45nC
　　开关时间：ton=10ns, toff=15ns
　　工作温度范围：-55℃至+175℃

特性

AZ75232GE具备以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻，有助于降低功耗并提升效率。
　　2. 高速开关能力，使其适用于高频开关电源设计。
　　3. 良好的热性能，可确保在高电流条件下稳定运行。
　　4. 强大的过流保护和短路耐受能力，提高系统可靠性。
　　5. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
　　这些特点使得该芯片非常适合于汽车电子、工业控制以及消费类电子产品中的多种应用场景。

应用

AZ75232GE的应用领域包括但不限于：
　　1. 开关模式电源（SMPS），如AC/DC适配器和DC/DC转换器。
　　2. 电机驱动电路，用于控制小型直流电机或步进电机。
　　3. 负载开关，在各种电子设备中实现动态负载管理。
　　4. 电池保护电路，防止过充、过放及短路等问题。
　　5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　其强大的电气性能和稳定性使其成为众多设计工程师的理想选择。