时间：2025/6/28 12:21:19
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AZ5B9S-01F是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高效率和优良的热性能等特点。
此型号的MOSFET为N沟道增强型，适合高频开关应用，并且具有出色的电气特性和可靠性，能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：4mΩ
总功耗(Ptot)：180W
工作温度范围(Topr)：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻，可有效降低传导损耗，提升整体效率。
2. 高速开关能力，支持高达500kHz的工作频率。
3. 内置反向恢复二极管，减少开关噪声并提高系统稳定性。
4. 良好的雪崩耐量，确保在异常条件下仍能正常工作。
5. 采用无铅设计，符合RoHS环保标准。
6. 出色的散热性能，支持长时间高负载运行。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动中的H桥电路及PWM控制。
4. 太阳能逆变器中的功率调节模块。
5. 各类工业自动化设备中的负载开关与保护电路。
IRF540N
FDP5800
AO3400
