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AZ5725-01F.R7GR 发布时间 时间:2025/12/25 12:54:21 查看 阅读:19

AZ5725-01F.R7GR是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制二极管阵列(TVS Array),专为高速数据接口的静电放电(ESD)保护而设计。该器件采用紧凑型DFN1006-2(0402)封装,适用于对空间要求极为严苛的便携式电子设备。AZ5725-01F.R7GR集成了两个独立的双向TVS二极管通道,能够同时保护两条差分信号线或单端信号线路免受瞬态过电压事件的影响,如人体模型(HBM)静电放电、IEC 61000-4-2规定的系统级ESD脉冲等。其低电容特性使其非常适合用于USB 2.0、HDMI、音频接口、触摸屏控制器以及其他高速模拟或数字信号路径中,确保在不影响信号完整性的前提下提供可靠的保护性能。该器件符合RoHS和无卤素要求,支持回流焊工艺,适合自动化表面贴装生产流程。

参数

型号: AZ5725-01F.R7GR
  制造商: Littelfuse
  封装类型: DFN1006-2 (0402)
  通道数: 2
  工作电压(VRWM): 5.5V
  击穿电压(VBR): 6.5V(最大值)
  钳位电压(VC): 13.5V @ IPP = 1A(典型值)
  峰值脉冲电流(IPP): 1A(单次脉冲)
  电容值(Ct): 0.45pF @ 0V, 1MHz(典型值)
  ESD耐受能力: ±30kV(接触放电,IEC 61000-4-2 Level 4)
  极性: 双向
  工作温度范围: -40°C 至 +125°C
  存储温度范围: -55°C 至 +150°C

特性

AZ5725-01F.R7GR的核心优势在于其超低电容设计,典型值仅为0.45pF,在高频信号传输过程中几乎不会引入额外的信号衰减或失真,从而有效保障了高速接口的数据完整性。这一特性使得它特别适用于现代消费类电子产品中的高带宽通信链路,例如智能手机和平板电脑上的耳机插孔、麦克风输入、传感器接口等。此外,该器件具备优异的响应速度,能够在纳秒级别内迅速将瞬态过电压钳制到安全水平,防止下游敏感集成电路受到损坏。
  其双向保护结构允许在正负两个方向上均能有效抑制ESD事件,适用于交流耦合或双极性信号线路的应用场景。AZ5725-01F.R7GR通过了IEC 61000-4-2国际标准中最高级别的测试认证(Level 4,±8kV接触放电),实际测试中甚至可承受高达±30kV的空气放电冲击,展现出卓越的抗干扰能力和长期可靠性。由于采用了先进的硅基制造工艺,该TVS阵列具有稳定的电气特性和良好的批次一致性,能够在极端环境条件下保持性能稳定。
  小型化DFN1006-2封装不仅节省PCB布局空间,还降低了寄生电感和电阻,有助于提升整体电路的EMI/EMC表现。该封装形式兼容标准SMT贴片工艺,便于大规模自动化生产。器件本身无铅且符合环保规范,适用于绿色电子产品设计。综合来看,AZ5725-01F.R7GR是一款高性能、高可靠性的ESD保护解决方案,尤其适合在空间受限但对信号质量和防护等级要求极高的应用中使用。

应用

AZ5725-01F.R7GR广泛应用于各类便携式消费电子产品中需要进行ESD保护的高速信号接口。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的耳机插孔、麦克风输入端口、触摸屏信号线、环境光传感器与接近传感器接口等。由于其超低电容特性,也常用于保护USB 2.0全速(12Mbps)和低速(1.5Mbps)数据线,以及HDMI CEC控制线路、SD卡接口、I2C、SPI等低速串行总线。在工业控制领域,可用于PLC模块、人机界面(HMI)设备中对外暴露连接器的瞬态防护。此外,该器件还可用于笔记本电脑、数码相机、智能家居设备中的音频/视频输入输出端口,防止因用户操作不当导致的静电损伤。其高ESD耐受能力和快速响应特性使其成为终端产品通过EMC认证测试的重要保障元件之一。

替代型号

SP1006-01UTG

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