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AZ5123-01H/J 发布时间 时间:2025/6/17 7:53:26 查看 阅读:2

AZ5123-01H/J 是一款高性能的低噪声放大器(LNA)芯片,广泛应用于射频通信系统中。该芯片采用了先进的硅锗(SiGe)工艺技术,能够在高频段提供卓越的增益和低噪声性能。其主要用途包括蜂窝基站、无线基础设施设备以及测试测量仪器等领域。
  这款放大器设计紧凑,支持宽范围的工作频率,并且具备出色的线性度,确保在高动态范围信号环境下依然能够保持稳定的性能表现。

参数

工作频率:30 MHz 至 4 GHz
  增益:18 dB
  噪声系数:1.0 dB
  输入回波损耗:15 dB
  输出回波损耗:12 dB
  电源电压:3.3 V
  静态电流:65 mA
  封装形式:QFN-8 (2x2 mm)

特性

AZ5123-01H/J 的主要特性如下:
  1. 极低的噪声系数使其非常适合于需要高灵敏度接收的应用场景。
  2. 支持从低频到高频的宽带操作,极大扩展了应用灵活性。
  3. 内置匹配网络简化了外部电路设计,降低了整体方案复杂度。
  4. 提供优异的线性度指标,有助于减少非线性失真。
  5. 小型化的封装节省了PCB空间,便于小型化设备集成。
  6. 高效的功耗管理使得该芯片适用于对功耗敏感的设计。

应用

AZ5123-01H/J 芯片的主要应用领域包括:
  1. 蜂窝基站收发信机中的射频前端模块。
  2. 无线通信设备如Wi-Fi路由器、微波链路终端等。
  3. 测试与测量仪器,例如频谱分析仪或矢量信号发生器。
  4. 工业物联网设备的远程传感器节点。
  5. 卫星通信系统中的地面站设备。

替代型号

AZ5123-02H/J, AZ5124-01H/J

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