AZ4015-01G是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用N沟道增强型场效应晶体管技术。它主要适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。
AZ4015-01G以其低导通电阻和高开关速度著称,能够在较高的工作频率下保持高效能表现。该芯片通过优化的制造工艺实现了较低的栅极电荷和输出电容,从而减少了开关损耗并提高了整体效率。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:15A
导通电阻:2.5mΩ
栅极电荷:30nC
总电容:950pF
工作温度范围:-55℃~175℃
1. 极低的导通电阻使得该器件在大电流应用中表现出色,并有效降低了功率损耗。
2. 高速开关性能使其适合于高频电路设计,可减少磁性元件体积并提高效率。
3. 内置ESD保护功能增强了芯片的抗静电能力,提高了产品的可靠性。
4. 采用标准TO-220封装形式,便于安装与散热管理。
5. 符合RoHS环保标准,无铅且绿色环保。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. 各类DC-DC转换器及逆变器的核心功率组件。
3. 电动工具、家用电器等设备中的电机驱动控制。
4. 工业自动化系统中的负载开关或保护电路。
5. 汽车电子系统中的电池管理系统及辅助电路。
IRFZ44N
STP16NF06L
FDP18N06Z