类型：齐纳二极管
　　齐纳电压：8.2V
　　功率耗散：300mW
　　最大工作电流：200mA
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　存储温度范围：-65°C至150°C
　　最大反向漏电流：100nA（@ Vr=1V）
　　齐纳阻抗：15Ω（最大）

AZ23C8V2 T/R采用先进的硅半导体技术制造，具有良好的温度稳定性和较低的动态阻抗，确保在不同工作条件下保持稳定的电压输出。该器件的封装设计使其易于进行自动化贴片装配，同时具有优良的热性能和电气性能。SOT-23封装体积小、重量轻，适合用于高密度PCB布局。此外，该齐纳二极管具有较强的抗环境干扰能力，可在高温、潮湿或振动环境中稳定工作。
　　在电气特性方面，AZ23C8V2 T/R的齐纳电压容差较小，确保电压调节的精度。其较低的反向漏电流特性使其在低功耗应用中表现优异。此外，该器件具有快速响应能力，可在负载变化或输入电压波动时迅速调整输出电压，提高系统的稳定性。
　　该器件还具有良好的长期稳定性，适用于对可靠性要求较高的工业控制系统、测量设备和电源管理系统。其材料符合RoHS标准，支持环保和可持续发展要求。

AZ23C8V2 T/R广泛应用于各类电子设备中，特别是在需要稳定电压源的场合。常见应用包括电源电压参考、过压保护电路、电压调节器反馈网络、电池供电设备的电压监测、传感器信号调节、LED驱动电路以及各种模拟和数字电路中的电压基准源。此外，该器件也常用于通信设备、消费类电子产品、汽车电子系统和工业控制模块中，提供稳定的电压参考或保护电路免受电压波动的影响。

BZX84C8V2, MMZ8V2DICTR, ZMM8V2, MMSZ8V2T1