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AZ23C30_R1_00001 发布时间 时间:2025/8/14 10:44:41 查看 阅读:17

AZ23C30_R1_00001是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的低电容瞬态电压抑制二极管(TVS),主要用于保护敏感的电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌及其他瞬态电压的损害。该器件采用小型SOD-923封装,适用于便携式电子设备和通信接口等对空间要求较高的应用。

参数

类型:瞬态电压抑制二极管(TVS)
  最大反向工作电压(VRWM):30 V
  最大钳位电压(Vc):48.4 V(在Ipp = 1.76 A条件下)
  峰值脉冲电流(Ipp):1.76 A
  最大反向击穿电压(VBR):33.3 V 至 36.8 V
  最大漏电流(IR):1 μA(在VRWM条件下)
  响应时间(tRESP):小于1 ns
  封装形式:SOD-923
  引脚数:2
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  存储温度范围:-55°C 至 150°C

特性

AZ23C30_R1_00001具有非常低的结电容,通常低于1 pF,这使其非常适合用于高速数据线保护,如USB、HDMI和以太网接口。其小型SOD-923封装节省空间,适用于便携式设备,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。该器件具有快速响应时间,能够在纳秒级别内对瞬态电压做出反应,从而提供高效的保护。此外,其单向结构设计可以有效抑制正向和负向的高能瞬态干扰,确保受保护电路的稳定性。器件的低钳位电压可减少瞬态事件对系统的影响,提高整体可靠性。该TVS器件符合IEC 61000-4-2 ESD抗扰度标准,适用于工业和消费类电子应用。

应用

该器件广泛应用于需要保护高速接口和敏感电子元件的场合,如便携式电子产品中的USB接口保护、HDMI和DisplayPort接口保护、通信设备中的数据线路保护、工业自动化系统中的信号线保护,以及消费类电子产品中的电池供电线路保护。由于其低电容和快速响应特性,AZ23C30_R1_00001特别适合用于防止ESD事件对敏感IC和电路的损害。

替代型号

PESD30V1UL-015, SMBJ30CA

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AZ23C30_R1_00001参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,252,000 : ¥0.23611卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 配置1 对共阳极
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)30 V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大值300 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)80 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100 nA @ 22.5 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)-
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装SOT-23