时间：2025/6/23 21:24:58
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AZ23C18W是一款高性能的N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该器件具有较低的导通电阻和快速的开关速度，适用于高效率功率转换应用。其封装形式通常为TO-252（DPAK），适合表面贴装工艺。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：18A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：30nC
总电容：1200pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
AZ23C18W具有非常低的导通电阻，可以显著减少功率损耗，从而提高系统的整体效率。
它还具备优秀的热稳定性，在高温环境下依然能够保持稳定的性能。
此外，该器件的快速开关特性使其非常适合高频应用场合，同时其坚固的结构设计也增强了产品的可靠性。
AZ23C18W采用了先进的制造工艺，确保了产品的一致性和长期耐用性。
其封装形式支持自动化装配，降低了生产成本并提高了制造效率。
AZ23C18W主要应用于消费类电子、工业控制以及汽车电子领域。
在消费类电子产品中，它可以用于笔记本适配器、手机充电器和其他便携式设备的电源管理。
在工业控制方面，这款MOSFET适用于各种类型的电机驱动器、逆变器和不间断电源（UPS）。
此外，在汽车电子系统中，例如电动窗户、座椅调节和引擎控制单元中也有广泛应用。
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FDP15U20AE
AO3400A
