AZ23C16W是一种高性能的CMOS静态随机存取存储器(SRAM),广泛应用于需要高速数据访问和低功耗的场景。它具有快速读写能力,数据保持稳定,并且在工业级温度范围内表现优异。
该芯片采用先进的半导体制造工艺,确保了其在不同环境下的可靠性和稳定性。适用于通信设备、网络硬件、消费电子以及嵌入式系统等应用领域。
容量:16K x 8位
工作电压:2.0V 至 3.6V
访问时间:5ns/10ns
数据保持时间:无限期
封装形式:44引脚TSOP-II
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
I/O结构:单轨供电
AZ23C16W采用了高密度CMOS技术设计,具有低功耗和高速度的特点。其访问时间可达到5ns或10ns,具体取决于产品版本。此外,该芯片支持突发模式操作,能够显著提高数据传输效率。
内置的自动功率降低功能可在待机状态下将功耗降至最低,非常适合电池供电的应用场景。此外,该器件还具备出色的抗干扰性能,能够在复杂的电磁环境中稳定运行。
AZ23C16W支持标准JEDEC兼容的控制信号,易于与各种微处理器和控制器集成。同时,其引脚排列经过优化,便于PCB布局设计,降低了开发难度。
AZ23C16W适用于多种场景,包括但不限于:
1. 网络路由器和交换机中的高速缓存存储。
2. 嵌入式系统中的临时数据缓冲。
3. 工业自动化设备中的程序和数据存储。
4. 消费类电子产品,如打印机、扫描仪等。
5. 通信基站和其他实时处理系统中的数据暂存模块。
由于其高可靠性,该芯片也被用于航空航天和国防领域的关键任务系统中。
CY7C1041V33, IS61LV256AL, AS6C16W