AVT-52663-TR1G 是由 American Technical Ceramics (ATC) 生产的一款高性能多层陶瓷电容器(MLCC),广泛用于射频(RF)、微波(Microwave)和高频电子电路中。这款电容器采用高稳定性陶瓷材料和先进的制造工艺,具有优异的电气性能和温度稳定性。AVT-52663-TR1G 适用于需要高Q值、低插入损耗和高可靠性的应用场合,如通信设备、测试仪器、航空航天电子系统等。
电容值:100 pF
容差:±0.5 pF
额定电压:50V
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
介质材料:NP0(C0G)
封装类型:表面贴装(SMD)
尺寸:0603(1.6mm x 0.8mm)
温度系数:0 ppm/°C
Q值(最小):1000
频率范围:1 MHz 至 10 GHz
AVT-52663-TR1G 是一款专为高频和射频应用设计的高性能陶瓷电容器。其采用的NP0(C0G)介质材料具有极低的温度系数和优异的频率稳定性,使其在广泛的温度和频率范围内保持稳定的电容值。该器件具有高Q值,意味着在高频下损耗极低,适用于高精度和低噪声电路。此外,其表面贴装封装(SMD)设计便于自动化生产和高密度PCB布局,同时具备良好的机械稳定性和抗热冲击能力。AVT-52663-TR1G 还具有高可靠性,符合工业和军用标准,在极端环境下仍能保持稳定性能。该电容器无老化效应,适用于对长期稳定性要求高的应用场景。
这款电容器的电气性能在高频条件下表现尤为出色,能够有效降低信号损耗和干扰,提升系统整体性能。此外,其小尺寸封装(0603)使其适用于空间受限的高密度电子设备,同时兼顾良好的焊接可靠性和热稳定性。AVT-52663-TR1G 的额定电压为50V,适用于大多数中低电压高频电路设计。
AVT-52663-TR1G 广泛应用于射频和微波电路中,如滤波器、振荡器、放大器和匹配网络。它常用于无线通信设备、卫星通信系统、雷达和测试测量仪器等对高频性能要求极高的场合。此外,该电容器也适用于高精度模拟电路、高速数字电路和航空航天电子系统。由于其高稳定性和低损耗特性,AVT-52663-TR1G 在射频识别(RFID)、射频前端模块(FEM)、射频功率放大器和频率合成器中均有广泛应用。在军事和航空航天领域,该器件常用于雷达系统、电子战设备和卫星通信终端,以确保在极端环境下的稳定运行。
AVT-52663-TR1G 可以使用以下替代型号:ATC 550C101JBFRC,Vishay VJ0603Y101JXXACW1BC,TDK C0603C101J5GACTU,Kemet C0603C101JGACTU,以及 Murata GRM188R71H103KA01D。这些型号在电容值、容差、额定电压和封装尺寸方面具有相似特性,可作为替代选择。