AVT-51663-TR1G 是一款由 Diodes Incorporated(美台半导体)推出的高性能、低噪声、低相位噪声的电压控制振荡器(VCO),主要面向无线通信、射频(RF)和微波系统等应用。该器件能够在高频范围内提供稳定的振荡频率,并且具有良好的调谐线性度和相位噪声性能,适用于要求高稳定性和高性能的射频系统设计。
频率范围:1200 MHz - 1700 MHz
输出频率调节范围:通过外部电压进行调谐
相位噪声:-115 dBc/Hz @ 10 kHz 偏移
供电电压:3.3V 或 5V
输出类型:差分输出(ECL 兼容)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
AVT-51663-TR1G 是一款专为高性能射频应用设计的电压控制振荡器(VCO),其工作频率范围覆盖 1200 MHz 到 1700 MHz,能够满足多种无线通信系统和射频模块的需求。该器件采用先进的 GaAs(砷化镓)工艺制造,确保了高频下的稳定性和低噪声性能。
其相位噪声在 10 kHz 偏移下可达到 -115 dBc/Hz,这对于需要高信号纯度的应用(如无线基站、测试设备和微波通信)尤为重要。此外,AVT-51663-TR1G 提供差分输出,支持 ECL(发射极耦合逻辑)电平,使得它能够直接与高速锁相环(PLL)芯片或其他射频 IC 接口,简化系统设计。
该 VCO 的调谐电压范围宽广,支持外部电压控制,调谐线性度良好,有助于实现精确的频率控制。其供电电压可以选择 3.3V 或 5V,增强了其在不同系统中的兼容性。此外,该器件具有良好的温度稳定性,支持 -40°C 至 +85°C 的工业级工作温度范围,适用于各种恶劣环境下的应用。
封装方面,AVT-51663-TR1G 采用小型化封装,便于在高密度 PCB 布局中使用,同时具备良好的散热性能。整体来看,该 VCO 是一款适合高性能射频系统使用的振荡器解决方案。
AVT-51663-TR1G 广泛应用于无线通信基础设施,如蜂窝基站、微波通信系统、卫星通信设备和射频测试仪器等。此外,它也适用于需要高稳定性和低相位噪声的射频本地振荡器(LO)电路、频率合成器和锁相环(PLL)系统。其差分输出设计使其非常适合与高速 ADC、DAC 和 RF 收发器 IC 配合使用。
HMC513LC4B, VCO0216LN-1200, ZX95-1700E