型号：AVRM1005C6R8NT101N
　　制造商：Panasonic (松下)
　　封装尺寸：1005 (公制: 1.0mm x 0.5mm), 0402 (英制)
　　电感值：6.8nH
　　允许偏差：±0.3nH
　　额定电流（Idc）：650mA (典型值)
　　直流电阻（DCR）：最大450mΩ
　　自谐振频率（SRF）：约6.0GHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +155°C
　　焊接方式：回流焊（符合RoHS标准）
　　磁芯类型：陶瓷基多层结构
　　屏蔽类型：无屏蔽（开放式磁路设计）
　　应用类别：高频信号与小功率电源去耦

AVRM1005C6R8NT101N电感器的核心优势在于其卓越的高频响应特性和紧凑的物理尺寸。由于采用了精密的多层陶瓷共烧技术，该电感在极小体积内实现了高度一致的电气参数，特别适合用于GHz级别的射频前端模块和高速数字信号路径中的阻抗匹配与噪声抑制。其6.8nH的标称电感值配合高达6GHz的自谐振频率，确保在Wi-Fi、蓝牙、5G Sub-6GHz等通信频段内仍能保持接近理想电感的行为，避免因寄生电容引起的性能下降。同时，该器件具备较低的直流电阻（最大450mΩ），有助于降低功率传输过程中的I2R损耗，提高整体能效，尤其适用于电池供电设备中对功耗敏感的应用场景。
　　另一个显著特点是其优异的温度稳定性与长期可靠性。材料选择和结构设计经过优化，使其在-55°C至+125°C的工作温度范围内保持电感值变化极小，避免因环境温度波动导致电路失谐。此外，器件通过严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压、温度循环、机械冲击和振动试验，确保在移动终端频繁启停和复杂使用环境中依然稳定可靠。其端电极采用镍阻挡层和锡镀层结构，增强了焊接牢固性与耐腐蚀性，支持自动化贴片生产流程，并兼容无铅回流焊工艺，满足现代绿色电子制造的需求。
　　AVRM1005C6R8NT101N还具备良好的电磁兼容（EMC）特性。尽管为非屏蔽型结构，但其磁场分布较为集中，对外部元件的耦合干扰较小，在合理布局下可有效减少串扰问题。这使得它不仅可用于LC滤波器、π型网络，也可作为RF放大器输入/输出匹配元件或时钟线路的扼流配置。总体而言，该电感凭借其高频性能、微型化、低损耗与高可靠性，成为先进无线通信和便携式电子系统中高频电路设计的理想选择。

AVRM1005C6R8NT101N主要应用于需要微型化和高频性能的电子系统中。常见用途包括智能手机和平板电脑中的射频前端模块，如功率放大器（PA）输出匹配网络、天线调谐电路以及接收路径的滤波结构；在无线通信模块方面，广泛用于蓝牙、ZigBee、Wi-Fi 6E及5G NR Sub-6GHz频段的射频匹配与谐振电路设计。此外，该电感也适用于高速数字接口的信号完整性优化，例如在MIPI、USB HS等差分线路旁用作高频噪声滤波元件，以抑制电磁干扰（EMI）并提升信号质量。
　　在电源管理领域，该器件可用于小型DC-DC转换器的反馈环路补偿或轻载条件下的去耦应用，尤其是在空间受限的可穿戴设备（如智能手表、TWS耳机）中，作为高频开关电源的小型储能或滤波电感。其快速响应能力和低寄生效应有助于维持控制环路稳定性。同时，因其出色的频率特性，也被用于晶振外围电路、时钟发生器和PLL（锁相环）系统的滤波部分，防止高频杂散信号影响系统时序精度。
　　除此之外，该电感还可应用于各类物联网传感器节点、RFID标签读写器、车载信息娱乐系统的无线连接模块等对尺寸和性能均有严格要求的场合。由于其符合工业级和车规级可靠性标准，部分高端应用中也可用于汽车ADAS系统的通信子单元或毫米波雷达前端辅助电路中。总而言之，凡是对高频响应、小型化和可靠性有较高需求的SMT电路设计，AVRM1005C6R8NT101N都是一个极具竞争力的选型方案。

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　　DLW21HN6R8XK2L
　　MLG1005S6N8BT000