类型：双向TVS二极管阵列
　　工作电压（VRWM）：1.1V
　　击穿电压（VBR）：典型值1.3V（最大1.5V）
　　钳位电压（VC）：约4.5V（在IPP=1A条件下）
　　峰值脉冲电流（IPP）：最高可达1A
　　峰值反向电流（IR）：最大1μA
　　电容值（Cj）：典型值30pF（在0V偏压下）
　　响应时间：小于1ps
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：DFN1010-2（1.0mm x 1.0mm）
　　ESD耐受能力：±15kV（空气放电），符合IEC61000-4-2 Level 4标准

AVRL101A1R1NTB 具备卓越的瞬态电压抑制能力，其核心优势在于超低的工作电压与极快的响应速度。该器件的工作电压仅为1.1V，使其特别适用于低电压逻辑电路和现代CMOS器件的保护，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的I2C、UART或传感器接口。由于其击穿电压最低可达1.3V，在正常工作状态下不会对信号完整性造成干扰，同时又能迅速响应突发的过压事件，防止敏感IC因静电或其他瞬变而损坏。
　　该TVS二极管采用双向结构设计，能够应对正负方向的瞬态冲击，因此非常适合用于差分信号线或可能存在反向电压波动的应用场景。其钳位电压在1A的峰值脉冲电流下约为4.5V，这意味着即使在高强度瞬变情况下，也能将线路电压限制在一个安全范围内，避免后级电路遭受破坏。此外，低动态电阻特性进一步增强了其能量吸收能力和电压抑制效果。
　　另一个关键特性是其极低的结电容——典型值仅为30pF，这使得AVRL101A1R1NTB 对高频信号的影响极小，可用于高达数百MHz的数据传输线路保护，而不会引起明显的信号衰减或失真。这对于高速通信接口如USB、HDMI辅助线路或RF前端模块尤为重要。
　　封装方面，DFN1010-2 提供了优异的热性能和电气性能，同时占用极小的PCB面积，有助于实现产品的小型化和轻薄化设计。器件还具有良好的热稳定性，在-40°C至+125°C的宽温度范围内均可稳定工作，适应各种恶劣环境条件。整体而言，AVRL101A1R1NTB 在性能、尺寸和可靠性之间实现了高度平衡，是一款面向未来电子系统的先进保护元件。

AVRL101A1R1NTB 主要应用于需要高水平静电放电保护的低电压、高密度电子系统中。常见使用场景包括便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、智能手表和无线耳机等，用于保护麦克风、扬声器、触摸屏控制器及各类传感器接口免受人体静电或充电过程中的电压冲击。
　　在通信领域，该器件可用于保护I2C、SPI、UART等串行总线接口，这些总线通常连接多个子系统，走线较长且易受外部干扰，因此极易受到ESD影响。AVRL101A1R1NTB 的低电容和快速响应特性确保数据传输不受影响的同时提供可靠保护。
　　此外，该器件也广泛应用于工业控制设备中的信号调理模块、PLC输入输出端口以及楼宇自动化系统的传感器接口，以提升系统在复杂电磁环境下的抗扰度和运行稳定性。
　　在汽车电子中，尽管其主要用于低压辅助系统而非动力总成，但仍可用于车载信息娱乐系统的按钮、旋钮或近距离通信接口的ESD防护。得益于其符合AEC-Q101认证的部分系列版本（需确认具体型号），该类产品正逐步进入车规级应用领域。
　　总之，任何涉及低电压、高速信号传输且存在ESD风险的电路，都是 AVRL101A1R1NTB 的理想应用场景。

SP3012-01UTG