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AUIRLR3105TRR 发布时间 时间:2025/7/12 16:23:23 查看 阅读:13

AUIRLR3105TRR是一款高性能的功率MOSFET器件,专为汽车级应用设计。该产品属于IR(International Rectifier)公司的HexFET系列,采用P沟道技术,具有低导通电阻和高效率的特点。其封装形式为TO-263(D2PAK),适合表面贴装工艺。该器件广泛应用于汽车电子系统中的负载切换、电机驱动以及DC-DC转换等场景。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:-48A
  导通电阻(典型值):3.7mΩ
  栅极电荷:29nC
  反向恢复时间:78ns
  工作结温范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-263(D2PAK)

特性

AUIRLR3105TRR采用了先进的制造工艺,确保了其在高电流和高频开关条件下的卓越性能。
  低导通电阻显著降低了传导损耗,从而提高了系统的整体效率。
  该器件具备出色的热性能,在高温环境下也能稳定运行,非常适合汽车应用中的严苛环境要求。
  AUIRLR3105TRR还具有快速开关能力,能够有效减少开关损耗,并且其高可靠性设计满足了汽车行业对于长期稳定性的严格需求。

应用

AUIRLR3105TRR主要应用于汽车电子领域,包括但不限于以下方面:
  1. 车载DC-DC转换器
  2. 电动座椅及车窗控制中的电机驱动
  3. 发动机控制单元(ECU)中的负载切换
  4. 汽车空调系统中的风扇控制
  5. 其他需要高电流和高效率开关操作的应用场景

替代型号

IRLR3105TRPBF

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AUIRLR3105TRR参数

  • 制造商International Rectifier
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压55 V
  • 闸/源击穿电压16 V
  • 漏极连续电流25 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)43 mOhms
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体DPAK
  • 封装Reel
  • 栅极电荷 Qg13.3 nC
  • 功率耗散57 W
  • 工厂包装数量3000