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AUIRL3705ZSTRR 发布时间 时间:2025/7/8 23:17:56 查看 阅读:8

AUIRL3705ZSTRR 是一款由 Infineon(英飞凌)推出的 MOSFET 功率晶体管,采用 TO-263-3 封装形式。该器件主要用于汽车电子领域,具有高可靠性和耐高温的特性,适用于各种开关和功率转换应用。
  该器件基于沟槽式 MOSFET 技术制造,能够提供低导通电阻和快速开关性能,从而降低功耗并提高效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:94A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:80nC
  总电容:2440pF
  工作温度范围:-40℃ to 175℃

特性

AUIRL3705ZSTRR 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,并提高整体系统效率。
  2. 高额定电流能力,可以满足大功率应用需求。
  3. 快速开关速度和低栅极电荷,降低了开关损耗。
  4. 良好的热稳定性,能够在高达 175℃ 的结温下正常工作。
  5. AEC-Q101 认证,确保其在汽车环境中的可靠性。
  6. 具备短路保护功能,增强了系统的安全性。
  这款 MOSFET 特别适合需要高效功率转换的应用场景,如电机驱动、DC/DC 转换器以及负载开关等汽车电子应用中。

应用

AUIRL3705ZSTRR 广泛应用于以下领域:
  1. 汽车电子:如电动助力转向系统(EPS)、制动系统和空调压缩机控制。
  2. 工业自动化:用于工业电机驱动和逆变器设计。
  3. 开关电源:作为主开关器件实现高效的 DC/DC 或 AC/DC 转换。
  4. 大功率负载切换:例如在启动设备或电池管理系统中的负载切换功能。
  由于其出色的电气性能和耐用性,AUIRL3705ZSTRR 成为许多高要求应用的理想选择。

替代型号

IRL3705PBF
  IRL3705TRPBF
  AUIRL3705ZS

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AUIRL3705ZSTRR参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫欧 @ 52A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs60nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2880pF @ 25V
  • 功率 - 最大130W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)