AUIRFU120Z 时间：2025/7/7 12:10:11 阅读：17

AUIRFU120Z是一款由英飞凌（Infineon）推出的N沟道增强型MOSFET，专为汽车应用设计。该器件采用TO-264-3封装形式，具备出色的电气性能和可靠性。它主要应用于需要高功率开关的场景，例如电机驱动、负载切换以及DC-DC转换器等。其优化的Rds(on)特性和低栅极电荷使其在高频开关应用中表现优异。

参数

型号：AUIRFU120Z
　　类型：N沟道MOSFET
　　VDS（漏源电压）：120V
　　RDS(on)（导通电阻，典型值）：7.5mΩ
　　ID（连续漏极电流）：88A
　　Qg（总栅极电荷）：38nC
　　VGS(th)（阈值电压）：3.1V
　　Tj（结温范围）：-55℃至+175℃
　　封装：TO-264-3

特性

AUIRFU120Z具有较低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗，提高系统效率。同时，其总栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，非常适合高频开关应用。此外，该器件的额定漏源电压为120V，能够承受较高电压环境下的运行。其工作结温范围宽达-55℃至+175℃，能够在极端温度条件下保持稳定性能。由于其专为汽车应用设计，因此符合AEC-Q101标准，具备更高的可靠性和抗干扰能力。
　　此外，AUIRFU120Z还采用了优化的封装设计，有助于改善散热性能，确保在高功率应用场景中的长期稳定性。

应用

AUIRFU120Z广泛应用于汽车电子领域，具体包括但不限于以下方面：
　　1. 汽车电机驱动电路，例如电动车窗、雨刷器和座椅调节系统。
　　2. 负载切换控制，如大功率LED驱动和电磁阀控制。
　　3. DC-DC转换器，用于车载电源管理。
　　4. 电池管理系统中的保护和切换功能。
　　5. 各类高功率开关电路，包括逆变器和不间断电源（UPS）。这些应用均得益于其低导通电阻、高耐压能力和优秀的热性能。